Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.4N65L-TN3-R, modern ve kompakt elektronik tasarımlar için geliştirilmiş, yüksek verimli bir N-Kanal Power Mosfet'tir. 650V'luk yüksek gerilim dayanımını ve 4A'lik akım kapasitesini, yerden tasarruf sağlayan DPAK yüzey montaj kılıfında sunar. Bu özellikleri sayesinde, özellikle yoğun komponent yerleşimine sahip PCB'lerdeki anahtarlamalı güç uygulamaları için mükemmel bir çözümdür.
Soru: DPAK kılıfı, TO220 gibi delik montajlı kılıflara göre termal olarak nasıl bir performans sergiler?
→ Cevap: DPAK kılıfı, ısıyı doğrudan PCB üzerindeki bakır alana yayarak soğur. İyi tasarlanmış bir PCB (geniş bakır soğutma alanları veya termal via'lar ile) ile TO220 kılıfına yakın termal performanslar elde edilebilir. Ancak harici bir soğutucu takılamadığı için çok yüksek güç dağılımı gerektiren uygulamalarda TO220 daha avantajlı olabilir.
Soru: 4N65L-TN3-R mosfet'i ile 4N65KL-TF3-T arasındaki temel fark nedir?
→ Cevap: Her ikisi de benzer elektriksel özelliklere (4A, ~650V) sahip olsa da temel fark kılıf tipidir. 4N65L-TN3-R yüzey montajlı (SMD) DPAK kılıfındayken, 4N65KL-TF3-T delik montajlı (THT) ve tam yalıtımlı TO220F kılıfındadır. Seçim, projenin montaj teknolojisine ve termal yönetim gereksinimlerine bağlıdır.
Kompakt ve verimli güç kaynağı tasarımlarınız için 4N65L-TN3-R'nin gücünden yararlanın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.