Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.AO4264E, popüler SOIC-8 yüzey montaj (SMD) kılıfında sunulan, yüksek performanslı bir N-Kanal Güç Mosfeti'dir. Gelişmiş trench teknolojisi sayesinde son derece düşük RDS(on) direnci ve optimize edilmiş anahtarlama performansı sağlar. Bu özellikleri, onu senkron doğrultucular, DC-DC dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemleri gibi verimliliğin kritik olduğu uygulamalar için vazgeçilmez kılar.
SOIC-8 kılıfının termal performansı nasıldır?
→ SOIC-8 kılıfının altındaki geniş drain pedi, ısıyı PCB'nin bakır alanına aktarmak için tasarlanmıştır. İyi bir PCB tasarımı ile bu kılıf, orta düzeydeki güç uygulamaları için yeterli termal dağılım sağlayabilir.
'Trench Teknolojisi' mosfet için ne anlama geliyor?
→ Trench MOSFET teknolojisi, silikon yonga üzerinde dikey bir yapı oluşturarak daha fazla akım taşıyan kanalın daha küçük bir alana sığdırılmasını sağlar. Bu, RDS(on) direncini önemli ölçüde düşürür ve mosfetin verimliliğini artırır.
Verimliliği en üst seviyeye çıkarmak istediğiniz modern güç elektroniği tasarımlarınızda AO4264E Mosfet'in üstün performansından yararlanın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.