Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Bu ürün, Infineon'un OptiMOS™ serisinden, ultra kompakt QFN-8 (PG-TDSON-8) kılıfında yer alan, yüksek verimli bir güç anahtarlama elemanı olan BSC123N08NS3G'dir. Teknik olarak bir N-Kanal Güç MOSFET'i olan bu komponent, son derece düşük 'açık' durum direncine (RDS(on)) sahip olup, modern güç yönetimi devreleri için optimize edilmiştir.
Soru: Bu komponent bir NPN BJT transistör mü, yoksa MOSFET mi?
→ Başlıkta NPN olarak belirtilmiş olsa da, BSC123N08NS3G teknik olarak bir N-Kanal Güç MOSFET'idir. BJT'lerden farklı olarak akımla değil, voltajla (gate-source gerilimi) kontrol edilir ve çok daha düşük güç kayıplarına sahiptir.
Soru: QFN-8 kılıfını hobi amaçlı elle lehimlemek mümkün müdür?
→ QFN kılıfının altında lehim pedi bulunduğu ve bacakları olmadığı için standart havya ile lehimlenmesi neredeyse imkansızdır. Bu tür kılıflar için sıcak hava (hot air) lehimleme istasyonu veya reflow fırın gibi özel ekipmanlar gereklidir.
Kompakt ve yüksek verimli güç tasarımlarınız için endüstri lideri BSC123N08NS3G MOSFET'i keşfedin!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.