Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.BT60T60ANFK, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamaları için tasarlanmış, güçlü bir N-Kanal IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) komponentidir. Sağlam TO-3PN kılıfı sayesinde mükemmel termal performans sunar ve özellikle endüstriyel güç elektroniği devrelerinde verimli anahtarlama sağlamak üzere geliştirilmiştir. Düşük iletim kaybı ve yüksek anahtarlama hızı ile öne çıkar.
BT60T60ANFK'nin TO-3PN kılıfının avantajı nedir?
→ TO-3PN kılıfı, standart TO-247 gibi kılıflara göre daha büyük bir metal tabağa sahiptir. Bu, ısıyı daha verimli bir şekilde soğutucuya aktarmasını sağlar ve yüksek güç uygulamalarında termal stresi azaltarak komponentin ömrünü uzatır.
Bu IGBT'yi sürerken nelere dikkat etmeliyim?
→ IGBT'ler, kapı (gate) empedansları yüksek olduğu için uygun bir gate sürücü devresi gerektirir. Sürücü devresinin, IGBT'yi hızlı ve kararlı bir şekilde açıp kapatmak için yeterli akımı sağlayabildiğinden ve doğru voltaj seviyelerinde çalıştığından emin olunmalıdır.
Güç elektroniği projelerinizde verimlilik ve güvenilirliği bir arada sunan BT60T60ANFK IGBT'yi şimdi keşfedin!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.