BUP305 TO-218AB IGBT - Transistör

BUP305, yüksek güç ve yüksek gerilim gerektiren anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış, TO-218AB kılıfında bulunan güvenilir bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) komponentidir. Düşük iletim kayıpları ve sağlam yapısı sayesinde endüstriyel elektronik devrelerde sıkça tercih edilen bir güç transistörüdür.

BUP305 TO-218AB IGBT - Transistör'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Gerilim Kapasitesi: Zorlu endüstriyel ortamlarda güvenli çalışma için yüksek kollektör-emiter gerilimine sahiptir.
• Düşük İletim Kaybı (VCE(sat)): Düşük doyma gerilimi sayesinde çalışma sırasında daha az ısınır ve verimliliği artırır.
• Sağlam TO-218AB Kılıfı: Mükemmel termal performans sunar ve soğutucuya kolay montaj imkanı tanır.
• Hızlı Anahtarlama Kabiliyeti: Yüksek frekanslı uygulamalarda etkili bir performans sergiler.
• Geniş Güvenli Çalışma Alanı (SOA): Kısa devre ve aşırı yük koşullarına karşı artırılmış dayanıklılık sağlar.

Başlıca Kullanım Alanları

• Motor Sürücü Devreleri (AC/DC Motor Kontrolü)
• Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
• Endüksiyonla Isıtma Sistemleri
• Kaynak Makineleri
• Yüksek Frekanslı Güç Konvertörleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

TO-218AB kılıfının avantajı nedir?
→ TO-218AB, TO-247'ye benzer büyük bir kılıftır ve yüksek güç dağıtımı için tasarlanmıştır. Geniş montaj yüzeyi sayesinde ısıyı bir soğutucuya (heatsink) çok verimli bir şekilde aktarır, bu da transistörün yüksek akımlarda serin kalmasını sağlar.

Bu IGBT, MOSFET'e göre ne gibi avantajlar sunar?
→ IGBT'ler, MOSFET'lerin yüksek empedanslı kapı (gate) kontrolü ile BJT'lerin yüksek akım ve düşük doyma gerilimi özelliklerini birleştirir. Bu sayede, özellikle yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında MOSFET'lere göre daha düşük iletim kayıpları sunarlar.

Yüksek güç gerektiren endüstriyel projelerinizde BUP305'in güvenilir performansından yararlanın.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En güncel ve kesin teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.