2500 TL ve Üzeri TÜM KARGOLAR ÜCRETSİZ
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
DS1220Y-100 Bellek Komponenti
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

DS1220Y-100 Bellek Komponenti

Marka
Açıklama
DS1220Y-100 Maxim NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 100 ns 24-EDIP
Belgeler
Teslimat Bilgisi

Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.

(Mücbir sebepler hariç)

Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 11,00 + KDV
İndirimli Fiyat $ 10,34 + KDV
KDV Dahil TL 548,58 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

DS1220Y-100 Bellek Komponenti

DS1220Y-100, Dallas Semiconductor (şimdi Maxim Integrated) tarafından üretilen, 16 Kbit (2K x 8-bit) kapasiteli bir Non-Volatile SRAM (NVRAM) bellek entegresidir. Bu komponent, standart bir statik RAM'in hızını ve kullanım kolaylığını, dahili lityum güç kaynağı sayesinde kalıcı veri depolama yeteneği ile birleştirir. DIP-24 kılıfında sunulan bu entegre, güç kesintilerinde veri kaybının kritik olduğu sistemler için tasarlanmıştır.

DS1220Y-100'ün Özellikleri ve Avantajları

  • Kalıcı Bellek: 16 Kbit (2048 bayt) NVRAM, güç kesildiğinde verileri korur.
  • Yüksek Hız: 100 ns erişim süresi ile standart SRAM kadar hızlı okuma ve yazma işlemleri.
  • Dahili Pil ve Kontrol: Dahili lityum enerji kaynağı ve VCC sensörü sayesinde otomatik güç yönetimi.
  • Sınırsız Yazma Döngüsü: EEPROM'ların aksine, bir SRAM olduğu için yazma döngüsü sınırlaması yoktur.
  • Veri Saklama: Harici güç olmadan 10 yıldan fazla veri saklama garantisi.
  • Tak-Çalıştır Kullanım: Standart 2K x 8 SRAM ile pin uyumludur, özel bir arayüz veya komut gerektirmez.
  • Kılıf Tipi: Standart DIP-24 kılıf, prototipleme ve mevcut tasarımlara yükseltme için uygundur.

Başlıca Kullanım Alanları

  • Endüstriyel makinelerde ve robotikte son bilinen pozisyon veya durum bilgilerinin saklanması.
  • Oyun makineleri ve kiosk'larda en yüksek skorların veya kullanım istatistiklerinin tutulması.
  • Test ve ölçüm cihazlarında kalibrasyon sabitlerinin depolanması.
  • Kritik veri kaydı gerektiren sistemlerde (örneğin kara kutu benzeri cihazlar) güvenilir depolama.
  • Tıbbi cihazlarda hasta verilerinin anlık olarak ve güvenli bir şekilde kaydedilmesi.

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: NVRAM ile EEPROM arasındaki temel fark nedir?
→ NVRAM (DS1220Y gibi), pil destekli bir SRAM'dir. Bu sayede SRAM kadar hızlıdır ve sınırsız yazma döngüsüne sahiptir. EEPROM ise daha yavaştır ve sınırlı sayıda (genellikle 100 bin ila 1 milyon) yazma döngüsüne sahiptir, ancak çalışmak için pile ihtiyaç duymaz.

Soru: Entegrenin kalan pil ömrünü nasıl anlarım?
→ Bu tür entegrelerde pil ömrünü doğrudan ölçmenin bir yolu yoktur. Genellikle üreticinin belirttiği 10 yıllık veri saklama süresi temel alınır ve kritik uygulamalarda bu süre dolmadan entegrenin değiştirilmesi önerilir.

Güç kesintilerinde veri kaybı lüksünüz yoksa, DS1220Y-100 NVRAM ile projelerinizi güvence altına alın!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.