Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.DS1220Y-100, Dallas Semiconductor (şimdi Maxim Integrated) tarafından üretilen, 16 Kbit (2K x 8-bit) kapasiteli bir Non-Volatile SRAM (NVRAM) bellek entegresidir. Bu komponent, standart bir statik RAM'in hızını ve kullanım kolaylığını, dahili lityum güç kaynağı sayesinde kalıcı veri depolama yeteneği ile birleştirir. DIP-24 kılıfında sunulan bu entegre, güç kesintilerinde veri kaybının kritik olduğu sistemler için tasarlanmıştır.
Soru: NVRAM ile EEPROM arasındaki temel fark nedir?
→ NVRAM (DS1220Y gibi), pil destekli bir SRAM'dir. Bu sayede SRAM kadar hızlıdır ve sınırsız yazma döngüsüne sahiptir. EEPROM ise daha yavaştır ve sınırlı sayıda (genellikle 100 bin ila 1 milyon) yazma döngüsüne sahiptir, ancak çalışmak için pile ihtiyaç duymaz.
Soru: Entegrenin kalan pil ömrünü nasıl anlarım?
→ Bu tür entegrelerde pil ömrünü doğrudan ölçmenin bir yolu yoktur. Genellikle üreticinin belirttiği 10 yıllık veri saklama süresi temel alınır ve kritik uygulamalarda bu süre dolmadan entegrenin değiştirilmesi önerilir.
Güç kesintilerinde veri kaybı lüksünüz yoksa, DS1220Y-100 NVRAM ile projelerinizi güvence altına alın!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.