FCH22N60N TO-3P Mosfet - Transistör

FCH22N60N, yüksek voltaj ve yüksek akım kapasitesi gerektiren zorlu güç elektroniği uygulamaları için tasarlanmış, sağlam bir N-Kanal Güç Mosfet'idir. Fairchild'ın SuperFET® teknolojisi ile üretilen bu komponent, özellikle anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) ve solar invertörler gibi uygulamalarda yüksek verimlilik sunar. Büyük ve güçlü TO-3P kılıfı, mükemmel ısı dağılımı sağlayarak yüksek güçlerde güvenilir bir çalışma performansı garanti eder.

FCH22N60N TO-3P Mosfet'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Drain-Source Gerilimi (Vdss): 600V'luk yüksek gerilim dayanımı ile şebeke bağlantılı güç uygulamaları için idealdir.
• Yüksek Akım Kapasitesi: Yüksek sürekli (Id) ve tepe akımlarını yönetme kabiliyetine sahiptir.
• Düşük Rds(on) ve Gate Şarjı (Qg): SuperFET® teknolojisi sayesinde hem iletim hem de anahtarlama kayıplarını en aza indirerek sistem verimliliğini maksimize eder.
• TO-3P Kılıf: TO-220 ve TO-247'ye göre daha büyük olan bu kılıf, en zorlu termal koşullar altında bile üstün ısı dağılımı sağlar.
• Mükemmel dv/dt Dayanıklılığı: Hızlı voltaj değişimlerine karşı yüksek dayanıklılık göstererek güvenilirliği artırır.

Başlıca Kullanım Alanları

• Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
• Güç Faktörü Düzeltme (PFC) Devreleri
• Solar İnvertörler ve UPS (Kesintisiz Güç Kaynakları)
• Yüksek Güçlü Motor Sürücüleri
• Kaynak Makineleri
• Endüksiyonla Isıtma Sistemleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

TO-3P kılıfının TO-247'den farkı nedir?
→ TO-3P ve TO-247 kılıfları boyut ve pin aralığı olarak birbirine çok benzerdir ve genellikle birbirinin yerine kullanılabilir. Aralarındaki temel farklardan biri, TO-3P'nin montaj deliğinin genellikle plastiğin içinde olması, TO-247'de ise metal tırnağın bir parçası olmasıdır. TO-3P genellikle biraz daha iyi termal performans sunabilir.

SuperFET® teknolojisi nedir?
→ SuperFET®, Fairchild (artık onsemi'nin bir parçası) tarafından geliştirilen bir 'super-junction' mosfet teknolojisidir. Bu teknoloji, geleneksel mosfetlere kıyasla birim alan başına çok daha düşük bir Rds(on) direnci elde edilmesini sağlar. Bu, aynı akım kapasitesi için mosfetin daha verimli ve daha serin çalışmasına olanak tanır.

Yüksek voltajlı ve yüksek güçlü tasarımlarınızda verimlilik ve dayanıklılık için FCH22N60N mosfeti seçin!

Not: Bu sayfadaki bilgiler yalnızca referans amaçlıdır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.