FGH75T65UPD - FGH75T65 TO-247 IGBT - Transistör

FGH75T65UPD, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamaları için geliştirilmiş, son teknoloji bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Gelişmiş Field Stop Trench teknolojisi sayesinde düşük iletim ve anahtarlama kayıplarını bir arada sunar. TO-247 kılıfı içerisinde, hızlı ve yumuşak bir anahtarlama karakteristiği sağlayan entegre bir anti-paralel diyot da bulunur. Bu özellikleri onu özellikle güneş enerjisi invertörleri ve kaynak makineleri için mükemmel bir seçenek yapar.

FGH75T65UPD'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Gerilim Dayanımı: 650V kolektör-emiter gerilimi ile şebeke bağlantılı uygulamalarda yüksek güvenlik payı sunar.
• Yüksek Akım Kapasitesi: 75A'e kadar sürekli kolektör akımı taşıyabilir, bu da onu yüksek güç uygulamaları için uygun kılar.
• Düşük İletim Kaybı (Vce(sat)): Düşük doyma gerilimi sayesinde çalışma sırasında daha az ısınır ve sistem verimliliğini artırır.
• Entegre Diyot: Hızlı ve yumuşak toparlanma (soft recovery) karakteristiğine sahip anti-paralel diyot, anahtarlama kayıplarını ve elektromanyetik gürültüyü (EMI) azaltır.
• TO-247 Kılıf: Mükemmel termal performans ve kolay montaj için endüstri standardı bir pakettir.

Başlıca Kullanım Alanları

• Güneş Enerjisi (Solar) İnvertörleri
• Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
• Endüstriyel Motor Sürücüleri
• Kaynak Makineleri
• PFC (Güç Faktörü Düzeltme) Devreleri
• Yüksek Frekanslı Güç Dönüştürücüler

Sık Sorulan Sorular (SSS)

IGBT ile Mosfet arasındaki temel fark nedir ve neden bu uygulamada IGBT tercih ediliyor?
→ Genel olarak Mosfet'ler çok yüksek frekanslarda daha verimliyken, IGBT'ler yüksek voltaj ve yüksek akım kombinasyonlarında daha düşük iletim kayıpları sunar. FGH75T65UPD gibi IGBT'ler, 600V üzerindeki şebeke bağlantılı invertör ve motor sürücü gibi uygulamalarda sundukları düşük Vce(sat) değeri sayesinde mosfetlere göre daha verimli olurlar.

Bu IGBT'nin sürülmesi için nelere dikkat etmek gerekir?
→ Bu IGBT'yi verimli bir şekilde sürmek için, pozitif bir gate-emiter voltajı (genellikle +15V) ile 'açık' konuma, ve negatif bir gate-emiter voltajı (genellikle -5V ila -15V) ile 'kapalı' konuma getirilmesi önerilir. Negatif voltaj, özellikle gürültülü ortamlarda yanlışlıkla açılmasını engeller. Bu nedenle özel IGBT sürücü entegreleri kullanılmalıdır.

Yüksek güçlü dönüştürücü tasarımlarınızda FGH75T65UPD ile performansı ve verimliliği en üst düzeye çıkarın!

Not: Bu sayfadaki bilgiler referans amaçlıdır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.