FGW40N65WE - 40G65WE TO-247 IGBT Transistör

FGW40N65WE (veya 40G65WE), ON Semiconductor tarafından geliştirilen, 650V gerilim ve 40A akım kapasitesine sahip, yüksek performanslı bir Field Stop Trench IGBT transistördür. TO-247 kılıfında sunulan bu ürün, çok düşük iletim kayıpları (VCE(sat)) ve optimize edilmiş anahtarlama karakteristikleri sayesinde, solar invertörler ve Güç Faktörü Düzeltme (PFC) devreleri gibi verimliliğin kritik olduğu uygulamalar için özel olarak tasarlanmıştır.

FGW40N65WE'nin Özellikleri ve Avantajları

• Nominal Değerler: 650V kolektör-emetör gerilimi ve 40A (100°C'de) sürekli kolektör akımı.
• Düşük VCE(sat): Düşük doyma gerilimi sayesinde iletim sırasındaki güç kaybını önemli ölçüde azaltır.
• Yüksek Verimlilik: Field Stop Trench teknolojisi, düşük anahtarlama ve iletim kayıpları arasında mükemmel bir denge sunar.
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arasında geniş bir çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
• Pozitif Sıcaklık Katsayısı: Paralel bağlantı uygulamalarında kararlı bir akım paylaşımı sağlar.
• Endüstri Standardı Kılıf: TO-247 paketi, mekanik sağlamlık ve kolay soğutucu montajı sunar.

Başlıca Kullanım Alanları

• Güneş Enerjisi (Solar) İnvertörleri
• Güç Faktörü Düzeltme (PFC) Devreleri
• Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
• Endüstriyel Motor Sürücüleri
• Kaynak Makineleri
• Yüksek Verimli SMPS Uygulamaları

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: Bu IGBT'nin Gate (Kapı) sürücü gereksinimi nedir?
→ Cevap: Tipik olarak +15V kapı-emetör gerilimi ile sürülmesi tavsiye edilir. Maksimum değerler ve kapı şarjı (Qg) gibi detaylar için ürünün datasheet'ine başvurulmalıdır. Düşük Qg değeri, daha basit sürücü devreleri ile çalışmasına olanak tanır.

Soru: Field Stop (FS) ve Trench teknolojilerinin bir arada olması ne anlama geliyor?
→ Cevap: Bu kombinasyon, her iki teknolojinin de en iyi yönlerini bir araya getirir. Trench yapısı VCE(sat) değerini düşürerek iletim kayıplarını azaltırken, Field Stop katmanı anahtarlama hızını artırır ve kapanma kayıplarını minimize eder. Sonuç, genel verimliliği çok yüksek bir IGBT'dir.

Verimlilik odaklı güç elektroniği tasarımlarınız için FGW40N65WE'nin üstün performansından faydalanın.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.