Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün için güncel stok ve teslim süresi bilgisi alınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.FGW50N65WE (veya 50G65WE), ON Semiconductor (Fairchild) tarafından geliştirilen, 650V gerilim ve 50A akım kapasitesine sahip yüksek verimli bir Field Stop Trench IGBT transistördür. Standart TO-247 kılıfı içerisinde sunulan bu komponent, düşük iletim kayıpları (VCE(sat)) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde güç faktörü düzeltme (PFC) ve inverter devreleri için mükemmel bir seçenektir.
Soru: FGW50N65WE ve 50G65WE aynı komponent midir?
→ Cevap: Evet, genellikle bu iki kod aynı teknik özelliklere sahip ürünü ifade eder. Üretici tarafından yapılan kodlama veya işaretleme farklılıklarından kaynaklanabilir. Her zaman datasheet'i kontrol etmek en doğrusudur.
Soru: Bu IGBT'nin Gate (Kapı) sürüş gerilimi nedir?
→ Cevap: Bu tip IGBT'ler genellikle +/- 20V maksimum kapı-emetör gerilimine sahiptir ve tipik olarak +15V ile sürülür. Kesin değerler için datasheet'teki 'Gate-Emitter Voltage' bölümüne bakılmalıdır.
Güç elektroniği tasarımlarınızda verimliliği ve performansı FGW50N65WE ile en üst düzeye çıkarın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.