Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.FQD12P10, özellikle yüksek taraf anahtarlama (high-side switching) ve güç yönetimi uygulamaları için tasarlanmış bir P-Kanal Mosfet'tir. Yüzey montaj için optimize edilmiş DPAK (TO-252) kılıfı, orta güç uygulamalarında iyi bir termal performans sunar. Düşük gate sürücü gereksinimi ve hızlı anahtarlama kabiliyeti ile verimli ve güvenilir bir performans sağlar.
P-Kanal Mosfet neden kullanılır? N-Kanal'dan farkı nedir?
→ P-Kanal mosfetler, Gate'e Source'a göre negatif bir gerilim uygulandığında iletime geçer. Bu özellikleri, pozitif güç hattını anahtarlamayı (high-side switching) kolaylaştırır. N-Kanal mosfetler ise genellikle daha düşük Rds(on) değerine sahiptir ancak high-side uygulamalarda karmaşık 'bootstrap' veya şarj pompası sürücü devreleri gerektirirler. P-Kanal, bu tür devrelerde tasarımı basitleştirir.
FQD12P10'un DPAK kılıfını lehimlerken neye dikkat etmeliyim?
→ DPAK kılıfının arkasındaki büyük metal tırnak (tab), aynı zamanda Drain pinidir ve ısıyı dağıtmak için kullanılır. Lehimleme sırasında bu tırnağın, PCB üzerinde ona karşılık gelen geniş bir bakır alana (copper pad) tam olarak lehimlendiğinden emin olunmalıdır. Bu, mosfet'in termal performansı için hayati önem taşır.
Yüksek taraf anahtarlama ve güç yönetimi devreleriniz için basit ve etkili çözüm FQD12P10!
Not: Bu sayfadaki bilgiler referans amaçlıdır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.