FQP32N20C - 32N20C TO-220 Mosfet - Transistör

FQP32N20C, QFET® proses teknolojisi kullanılarak üretilmiş, yüksek performanslı ve güvenilir bir N-Kanal MOSFET transistördür. Yaygın olarak kullanılan TO-220 kılıfı içerisinde, düşük kapı şarjı ve hızlı anahtarlama kabiliyeti gibi üstün özellikler sunarak, verimli güç yönetimi çözümleri için ideal bir seçenek haline gelir.

FQP32N20C - 32N20C'nin Özellikleri ve Avantajları

• QFET® Teknolojisi: Düşük iletim direnci (Rds(on)) ve düşük kapı şarjı (Qg) arasında mükemmel bir denge sunar.
• Hızlı Anahtarlama: Yüksek anahtarlama hızları sayesinde verimliliği artırır ve anahtarlama kayıplarını azaltır.
• Geliştirilmiş dV/dt Yeteneği: Yüksek güvenilirlik ve sistem kararlılığı için tasarlanmıştır.
• TO-220 Kılıf: Standart delik montaj (through-hole) tipindedir ve soğutucu ile kullanımı son derece kolaydır.
• Yüksek Akım ve Gerilim Değerleri: 200V ve 32A gibi değerlerle geniş bir uygulama yelpazesine uygundur.

Başlıca Kullanım Alanları

• DC-DC Dönüştürücüler
• Motor Kontrol ve Sürücü Devreleri
• Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
• Ses Amplifikatörleri (Class-D Amfiler)
• Aydınlatma Kontrol Sistemleri
• Yüksek Akım Anahtarlama Devreleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Bu MOSFET'in Gate (Kapı) voltajı nedir?
→ FQP32N20C'nin tam olarak iletime geçmesi için Gate-Source (Vgs) arasına genellikle 10V uygulanması tavsiye edilir. Kesin değerler için ürünün datasheet'ine başvurulmalıdır.

QFET® teknolojisinin avantajı nedir?
→ Bu teknoloji, MOSFET'in aynı anda hem 'açık' durumdaki direncini (Rds(on)) düşük tutmasını hem de açılıp kapanması için gereken enerjiyi (Gate Charge) azaltmasını sağlar. Bu durum, genel sistem verimliliğini önemli ölçüde artırır.

Güç yönetimi projelerinizde FQP32N20C'nin dengeli ve yüksek verimli performansını keşfedin!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.