GT30F131 - 30F131 D2Pak IGBT - Transistör

GT30F131, Toshiba tarafından üretilen, yüzey montaj (SMD) uyumlu bir N-Kanal IGBT transistördür. Düşük iletim kaybı ve hızlı anahtarlama özellikleri ile bilinen bu komponent, D2Pak (TO-263) kılıfı sayesinde modern ve kompakt elektronik tasarımlar için idealdir. Özellikle plazma ekran panelleri (PDP) ve yüksek akım gerektiren diğer anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır.

GT30F131 - 30F131 D2Pak IGBT - Transistör'nin Özellikleri ve Avantajları

• Düşük Doyum Gerilimi: Çok düşük VCE(sat) değerine sahiptir, bu da iletim sırasında daha az ısınma ve daha yüksek verimlilik anlamına gelir.
• Yüzey Montaj Tasarımı: D2Pak kılıfı, otomatik üretim hatları için uygun olup, daha küçük ve daha yoğun PCB tasarımlarını mümkün kılar.
• Yüksek Akım Kapasitesi: Kompakt boyutuna rağmen yüksek tepe akımlarını yönetebilir.
• Hızlı Anahtarlama: Yüksek frekanslarda çalışabilme yeteneği, anahtarlama kayıplarını azaltır.

Başlıca Kullanım Alanları

• Plazma TV'lerin sustain ve energy recovery devreleri
• Yüksek frekanslı anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
• Strobe flaş üniteleri
• Kompakt motor sürücüleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: Bu IGBT neden özellikle Plazma TV'lerde kullanılıyor?
→ Plazma TV'lerin sürücü devreleri, yüksek akım ve yüksek frekansta hızlı anahtarlama gerektirir. GT30F131'in düşük VCE(sat) ve hızlı anahtarlama özellikleri bu tür uygulamalar için onu çok uygun hale getirmiştir.

Soru: Bu komponentin soğutması nasıl yapılır?
→ D2Pak kılıfının altındaki metal tırnak (tab), PCB üzerindeki geniş bakır alana lehimlenerek soğutma sağlanır. Çok yüksek güçlerde, PCB'ye monte edilmiş harici bir soğutucu da kullanılabilir.

Yüksek akım ve düşük kayıp gerektiren SMD tabanlı güç tasarımlarınızda GT30F131 ile verimliliği yakalayın.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel referans amaçlıdır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.