Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.GT30J122A, Toshiba tarafından üretilen, yüksek hızlı anahtarlama için optimize edilmiş bir N-Kanal IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V kolektör-emiter gerilimi ve 30A kolektör akımı kapasitesine sahip bu bileşen, özellikle indüksiyonlu ısıtma (IH), mikrodalga fırınlar ve diğer rezonans dönüştürücü uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3PN kılıfı, yüksek güç altında mükemmel termal dağılım sağlar.
Bu IGBT'nin özellikle indüksiyonlu ısıtma için uygun olmasının sebebi nedir?
→ GT30J122A, indüksiyonlu ısıtma sistemlerinde yaygın olarak kullanılan rezonans devrelerinin yüksek frekans ve yüksek akım gereksinimlerini karşılamak üzere tasarlanmıştır. Hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özellikleri, bu tür uygulamalarda yüksek verimlilik sağlar.
TO-3PN kılıfının normal TO-3P'den farkı var mıdır?
→ TO-3PN ('Nickel Plated') kılıfı, standart TO-3P ile aynı boyutlara sahiptir ancak korozyona karşı daha fazla dayanıklılık ve daha iyi lehimlenebilirlik için nikel kaplıdır. Termal performansı benzerdir.
Yüksek frekanslı rezonans devrelerinizde üstün performans için GT30J122A IGBT'yi tercih edin!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.