Tüm Üyelere 2000 TL Üzeri Kargo Bedava
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
GT30J122A - 30J122A TO-3PN IGBT - Transistör
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

GT30J122A - 30J122A TO-3PN IGBT - Transistör

Kategori
Açıklama
GT30J122A - 600V 30A IGBT TO-3PN
Belgeler
Teslimat Bilgisi
Stokdan teslim, aynı gün kargo! (Mücbir sebepler hariç)
Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 5,50 + KDV
İndirimli Fiyat $ 5,50 + KDV
KDV Dahil TL 278,80 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

GT30J122A - 30J122A TO-3PN IGBT - Transistör

GT30J122A, Toshiba tarafından üretilen, yüksek hızlı anahtarlama için optimize edilmiş bir N-Kanal IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V kolektör-emiter gerilimi ve 30A kolektör akımı kapasitesine sahip bu bileşen, özellikle indüksiyonlu ısıtma (IH), mikrodalga fırınlar ve diğer rezonans dönüştürücü uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3PN kılıfı, yüksek güç altında mükemmel termal dağılım sağlar.

GT30J122A'nın Özellikleri ve Avantajları

  • Yüksek Hızlı Anahtarlama: Düşük anahtarlama kayıpları ile yüksek frekanslı (20-50 kHz) rezonans devrelerinde verimli çalışır.
  • Düşük Doyma Gerilimi: Düşük Vce(sat) değeri, iletim kayıplarını azaltarak sistem verimliliğini artırır.
  • Dahili Serbest Geçiş Diyodu: Entegre diyot, endüktif yüklerin sürülmesini basitleştirir ve harici bir diyot ihtiyacını ortadan kaldırır.
  • Yüksek Voltaj ve Akım: 600V ve 30A değerleri, şebeke voltajı ile çalışan orta-yüksek güçlü uygulamalar için idealdir.
  • Sağlam TO-3PN Kılıf: TO-3P kılıfının nikel kaplı versiyonu olup, mükemmel ısı transferi ve dayanıklılık sunar.

Başlıca Kullanım Alanları

  • İndüksiyonlu ocaklar ve ısıtma sistemleri (IH)
  • Mikrodalga fırınların inverter devreleri
  • Yüksek frekanslı kaynak makineleri
  • Yumuşak anahtarlamalı (soft-switching) güç dönüştürücüler
  • Motor sürücü devreleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Bu IGBT'nin özellikle indüksiyonlu ısıtma için uygun olmasının sebebi nedir?
→ GT30J122A, indüksiyonlu ısıtma sistemlerinde yaygın olarak kullanılan rezonans devrelerinin yüksek frekans ve yüksek akım gereksinimlerini karşılamak üzere tasarlanmıştır. Hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özellikleri, bu tür uygulamalarda yüksek verimlilik sağlar.

TO-3PN kılıfının normal TO-3P'den farkı var mıdır?
→ TO-3PN ('Nickel Plated') kılıfı, standart TO-3P ile aynı boyutlara sahiptir ancak korozyona karşı daha fazla dayanıklılık ve daha iyi lehimlenebilirlik için nikel kaplıdır. Termal performansı benzerdir.

Yüksek frekanslı rezonans devrelerinizde üstün performans için GT30J122A IGBT'yi tercih edin!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.