Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Yüksek güç ve yüksek voltaj uygulamalarında verimliliği ve hızı bir araya getiren GT30J126, gelişmiş bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) komponentidir. MOSFET'in kolay sürülme özelliği ile BJT'nin düşük iletim kaybı avantajlarını birleştirerek, özellikle anahtarlamalı güç kaynakları ve motor sürücüler için ideal bir çözüm sunar.
IGBT ile MOSFET arasındaki temel fark nedir?
→ MOSFET'ler çok yüksek frekanslarda daha verimliyken, IGBT'ler genellikle daha yüksek voltaj ve akım seviyelerinde daha düşük iletim kayıpları sunar. IGBT, yüksek güç uygulamaları için daha uygundur.
GT30J126'yı sürerken nelere dikkat etmeliyim?
→ IGBT'ler voltaj kontrollü bileşenlerdir. Sürülmesi için uygun bir gate sürücü devresi kullanılmalıdır. Sürücü devresi, gate kapasitansını hızlı bir şekilde şarj ve deşarj edebilmeli ve önerilen gate voltaj seviyelerini (genellikle ±15V) sağlamalıdır.
Güç elektroniği projelerinizde GT30J126 IGBT ile verimliliği ve performansı en üst seviyeye taşıyın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik veriler ve uygulama notları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.