Tüm Üyelere 2000 TL Üzeri Kargo Bedava
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
GT30J126 2-16F1A IGBT - Transistör
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

GT30J126 2-16F1A IGBT - Transistör

Kategori
Açıklama
GT30J126 2-16F1A
Belgeler
Teslimat Bilgisi

Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.

(Mücbir sebepler hariç)

Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 6,90 + KDV
İndirimli Fiyat $ 6,49 + KDV
KDV Dahil TL 328,78 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

GT30J126 2-16F1A IGBT - Transistör

Yüksek güç ve yüksek voltaj uygulamalarında verimliliği ve hızı bir araya getiren GT30J126, gelişmiş bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) komponentidir. MOSFET'in kolay sürülme özelliği ile BJT'nin düşük iletim kaybı avantajlarını birleştirerek, özellikle anahtarlamalı güç kaynakları ve motor sürücüler için ideal bir çözüm sunar.

GT30J126'nın Özellikleri ve Avantajları

  • IGBT Teknolojisi: Yüksek giriş empedansı sayesinde düşük güçle sürülebilirken, düşük VCE(sat) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder.
  • Yüksek Gerilim Dayanımı: Yüksek kolektör-emiter gerilimine dayanma kapasitesi, şebeke gerilimiyle çalışan uygulamalarda güvenilirlik sağlar.
  • Hızlı Anahtarlama: Düşük anahtarlama kayıpları sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda verimliliği artırır.
  • Düşük İletim Kaybı: Düşük doyma gerilimi, çalışma sırasında daha az ısınma ve daha yüksek verimlilik anlamına gelir.
  • Entegre Diyot: Bazı modellerde bulunan serbest geçiş diyotu, endüktif yüklerin sürülmesini kolaylaştırır ve harici komponent ihtiyacını azaltır.

Başlıca Kullanım Alanları

  • Motor Kontrol ve Sürücü Devreleri (Inverter, VFD)
  • Endüksiyon Isıtma Sistemleri
  • Kaynak Makineleri
  • Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
  • Yüksek Güçlü Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)

Sık Sorulan Sorular (SSS)

IGBT ile MOSFET arasındaki temel fark nedir?
→ MOSFET'ler çok yüksek frekanslarda daha verimliyken, IGBT'ler genellikle daha yüksek voltaj ve akım seviyelerinde daha düşük iletim kayıpları sunar. IGBT, yüksek güç uygulamaları için daha uygundur.

GT30J126'yı sürerken nelere dikkat etmeliyim?
→ IGBT'ler voltaj kontrollü bileşenlerdir. Sürülmesi için uygun bir gate sürücü devresi kullanılmalıdır. Sürücü devresi, gate kapasitansını hızlı bir şekilde şarj ve deşarj edebilmeli ve önerilen gate voltaj seviyelerini (genellikle ±15V) sağlamalıdır.

Güç elektroniği projelerinizde GT30J126 IGBT ile verimliliği ve performansı en üst seviyeye taşıyın.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik veriler ve uygulama notları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.