GT50J325 TO-3PL IGBT - Transistör

GT50J325, Toshiba tarafından geliştirilen, yüksek güçlü ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiş bir N-Kanal IGBT'dir. Sağlam TO-3PL kılıfı, mükemmel termal yönetim sunarken, bu transistör özellikle PFC (Güç Faktörü Düzeltme) devreleri ve invertör uygulamalarında düşük kayıpları ve yüksek verimliliği ile tanınır. Güvenilir performansı, onu endüstriyel sistemler için popüler bir seçim haline getirir.

GT50J325'in Özellikleri ve Avantajları

• Güçlü Performans: 600V kolektör-emiter gerilimi ve 50A'e kadar ulaşan kolektör akımı ile yüksek güç gerektiren devreler için uygundur.
• Düşük Doyma Gerilimi (Vce(sat)): Düşük iletim kayıpları sunarak sistemin genel verimliliğini artırır ve ısı oluşumunu azaltır.
• TO-3PL Kılıf Yapısı: Geniş yüzey alanı sayesinde soğutucuya kolayca monte edilebilir ve etkili bir ısı dağılımı sağlar.
• Yüksek Hızlı Anahtarlama: Düşük anahtarlama kayıpları sayesinde yüksek frekanslı SMPS ve motor kontrol uygulamalarında verimli bir şekilde çalışır.
• Entegre Diyot: Bazı versiyonlarında bulunan dahili serbest geçiş diyotu (fast recovery diode), devre tasarımını basitleştirir.

Başlıca Kullanım Alanları

• Güç Faktörü Düzeltme (PFC) Devreleri
• Kaynak Makineleri
• Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
• AC Motor Kontrol Sürücüleri
• Yüksek Frekanslı Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)

Sık Sorulan Sorular (SSS)

GT50J325'in kılıf tipi nedir?
→ Bu IGBT, büyük güç uygulamalarında verimli ısı transferi sağlamak üzere tasarlanmış olan TO-3PL kılıfına sahiptir.

Bu transistörün çalışma sıcaklık aralığı nedir?
→ Genellikle -55°C ile +150°C arasında geniş bir çalışma sıcaklık aralığına sahiptir, ancak kesin değerler için mutlaka resmi datasheet belgesine başvurulmalıdır.

GT50J325'in sunduğu düşük iletim kayıpları ile güç devrelerinizin verimliliğini en üst düzeye çıkarın.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.