Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.HY3503, düşük voltajlı ancak çok yüksek akım gerektiren uygulamalar için özel olarak optimize edilmiş, yüksek performanslı bir N-Kanal Mosfet'tir. Popüler TO-220 kılıfı içerisinde son derece düşük RDS(on) değeri sunan bu transistör, özellikle batarya ile çalışan sistemler, elektrikli bisiklet kontrolörleri ve düşük voltajlı invertörler gibi alanlarda güç kayıplarını minimize etmek için tasarlanmıştır.
Soru: RDS(on) değerinin bu kadar düşük olmasının önemi nedir?
→ Cevap: RDS(on), mosfet iletimdeyken gösterdiği dirençtir. Güç kaybı (ve dolayısıyla ısı) I²R formülüyle hesaplanır (Akımın Karesi x Direnç). RDS(on) ne kadar düşükse, aynı akımda o kadar az güç kaybı ve ısı oluşur. Bu, özellikle pille çalışan cihazlarda verimliliği artırır ve daha küçük soğutucular kullanılmasına olanak tanır.
Soru: Bu mosfet'i paralel bağlayarak akım kapasitesini artırabilir miyim?
→ Cevap: Evet, HY3503 gibi modern mosfetler genellikle akım kapasitesini artırmak için paralel bağlanmaya uygundur. Ancak, düzgün akım paylaşımını sağlamak ve olası salınımları önlemek için her mosfetin geytine seri olarak küçük bir direnç (gate stopper resistor) eklemek gibi iyi tasarım pratiklerini uygulamak önemlidir.
Düşük voltajlı yüksek akım projelerinizde verimliliği zirveye taşımak için HY3503'ün ultra düşük direncinden faydalanın!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.