IGW30N100T (G30T100) | 1000V 30A TRENCHSTOP™ IGBT

Infineon IGW30N100T, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmış, Infineon'un kanıtlanmış TRENCHSTOP™ teknolojisine sahip, güvenilir ve güçlü bir N-Kanal IGBT'dir. 1000V'luk yüksek kolektör-emitör gerilim dayanımı ve 30A'lik yüksek akım kapasitesi ile bu transistör, özellikle yüksek gerilim DC barasına sahip endüstriyel motor sürücüleri, solar inverterler ve kesintisiz güç kaynakları gibi zorlu uygulamalar için geliştirilmiştir. Düşük kayıplar ve yüksek sağlamlığı bir araya getirir.

IGW30N100T'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Gerilim Dayanımı: 1000V'luk $V_{CES}$ değeri, yüksek gerilimle çalışan sistemler için geniş bir güvenlik marjı sağlar.
• Infineon TRENCHSTOP™ Teknolojisi: Düşük iletim ($V_{CE(sat)}$) ve optimize edilmiş anahtarlama kayıpları ile yüksek sistem verimliliği sunar.
• Yüksek Güvenilirlik: Geniş Güvenli Çalışma Alanı (SOA) ve kısa devre dayanıklılığı ile zorlu endüstriyel koşullarda bile kararlı bir performans sergiler.
• Entegre Hızlı Diyot: Dahili (co-packaged) hızlı ve yumuşak geri toparlanma diyodu içerir.
• Dayanıklı TO-247 Kılıfı: Yüksek güç dağıtımı ve etkin soğutma için endüstri standardı TO-247 kılıfına sahiptir.

Başlıca Kullanım Alanları

• Endüstriyel Motor Sürücüleri: Yüksek gerilimle çalışan AC sürücüler ve inverterler.
• Güneş Enerjisi İnverterleri (Solar Inverters): Yüksek gerilim DC barasına sahip solar sistemler.
• Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS): Yüksek güçlü endüstriyel UPS sistemleri.
• Yüksek Voltajlı Güç Kaynakları (SMPS): Endüstriyel ve medikal sistemler için güç kaynakları.

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Neden 600V veya 1200V yerine 1000V'luk bir IGBT kullanılıyor?
→ 1000V'luk IGBT'ler, 600V'un yeterli güvenlik marjı sunmadığı ancak 1200V'un gereğinden fazla (ve genellikle daha yavaş veya daha yüksek kayıplı) olduğu belirli uygulamalar için bir ara çözüm sunar. Örneğin, belirli solar inverter topolojilerinde veya özel endüstriyel dönüştürücülerde maliyet ve performans optimizasyonu için tercih edilebilirler.

TRENCHSTOP™ teknolojisinin temel avantajı nedir?
→ TRENCHSTOP™, Infineon'un Field-Stop konseptini Trench Gate yapısıyla birleştiren teknolojisidir. Bu, IGBT'nin hem iletim kayıplarını (düşük $V_{CE(sat)}$) hem de anahtarlama kayıplarını (düşük E_off) önemli ölçüde azaltır, bu da genel olarak daha verimli ve daha serin çalışan bir güç sistemi anlamına gelir.

Yüksek gerilim gerektiren endüstriyel projelerinizde IGW30N100T'nin sunduğu TRENCHSTOP™ verimliliği ve kanıtlanmış güvenilirlikten yararlanın!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.