IHW25T120 - H25T120 TO-247 IGBT - Transistör

IHW25T120, Infineon'un TRENCHSTOP™ teknolojisi ile üretilmiş, yüksek performanslı bir IGBT transistördür. 1200V gerilim dayanımı ve 25A akım kapasitesi ile bilinen bu komponent, TO-247 kılıfında sunulmaktadır. Özellikle yüksek frekanslı ve yumuşak anahtarlamalı (soft-switching) topolojilerde düşük kayıplar ve yüksek verimlilik sağlamak üzere optimize edilmiştir.

IHW25T120'nin Özellikleri ve Avantajları

• TRENCHSTOP™ Teknolojisi: Çok düşük Vce(sat) değeri ve minimal anahtarlama kayıpları sunarak verimliliği maksimize eder.
• 1200V Bloklama Gerilimi: Yüksek gerilim şebekelerinde çalışan uygulamalar için geniş bir güvenlik marjı sağlar.
• Yumuşak ve Hızlı Diyot: Entegre anti-paralel diyot, hızlı ve yumuşak bir toparlanma davranışı sergileyerek EMI gürültüsünü azaltır.
• TO-247 Paketi: Endüstri standardı olan bu kılıf, kolay montaj ve etkili termal yönetim imkanı sunar.
• Yüksek Sıcaklık Kararlılığı: Zorlu çalışma koşullarında bile güvenilir performansını korur.

Başlıca Kullanım Alanları

• Güneş Enerjisi İnvertörleri (Solar Inverters)
• Endüksiyon Ocakları ve Pişirme Sistemleri
• Kaynak Makineleri
• Yüksek Güçlü Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
• Şarj İstasyonları ve Güç Dönüştürücüler

Sık Sorulan Sorular (SSS)

IHW25T120'nin sonundaki 'T120' ne anlama geliyor?
→ Genellikle bu tür isimlendirmelerde 'T120', transistörün maksimum Collector-Emitter gerilimini (Vces) ifade eder. Bu model için bu değer 1200 Volt'tur.

Bu IGBT'yi sürerken nelere dikkat etmeliyim?
→ IHW25T120, TRENCHSTOP™ teknolojisi sayesinde hassas bir gate kontrolüne sahiptir. Optimum anahtarlama performansı için datasheet'te belirtilen gate sürücü voltajlarına ve gate direncine (Rg) sadık kalmak önemlidir.

Enerji dönüşüm sistemlerinizde IHW25T120'nin üstün TRENCHSTOP™ teknolojisi ile verimliliği yeni bir seviyeye taşıyın.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.