Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.IKD06N60RATMA1, Infineon'un TrenchStop™ teknolojisi ile üretilmiş, yüksek performanslı bir 600V, 6A N-kanal IGBT'dir. Yüzey montaj (SMD) için optimize edilmiş popüler DPAK (TO-252) kılıfında sunulan bu transistör, hızlı anahtarlama ve düşük kayıpları bir araya getirerek modern güç elektroniği uygulamaları için ideal bir çözüm sunar.
IGBT ile MOSFET arasındaki temel fark nedir?
→ Genel olarak IGBT'ler, MOSFET'lere göre daha yüksek gerilim ve akımları daha düşük iletim kayıplarıyla yönetebilirler, bu da onları yüksek güçlü uygulamalar için ideal kılar. MOSFET'ler ise genellikle daha yüksek frekanslarda daha verimli anahtarlama yapabilirler. IKD06N60RA gibi modern IGBT'ler, bu iki teknoloji arasındaki farkı kapatarak her iki dünyanın da en iyisini sunmaya çalışır.
DPAK kılıfının termal yönetimi nasıl yapılmalıdır?
→ DPAK kılıfı, altındaki geniş metal tırnak (tab) aracılığıyla ısıyı PCB'ye aktarır. Etkili soğutma için bu tırnağın PCB'deki geniş bir bakır alana (thermal pad) lehimlenmesi kritik öneme sahiptir. Yüksek güç uygulamalarında, PCB'nin kendisi bir soğutucu görevi görecek şekilde tasarlanmalıdır.
Kompakt ve verimli güç elektroniği tasarımlarınızda IKD06N60RATMA1 IGBT'nin üstün anahtarlama performansından faydalanın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.