Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.IPB160N04S4-H1 (4N04H1), Infineon'un OptiMOS™ teknolojisi ile üretilmiş, düşük voltajlı ve yüksek akımlı uygulamalar için optimize edilmiş bir N-Kanal güç MOSFET'idir. D2PAK (TO-263-7) kılıfı ve son derece düşük Rds(on) değeri ile özellikle senkronize doğrultucular, BLDC motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemleri (BMS) gibi verimliliğin kritik olduğu alanlarda rakipsiz bir performans sunar.
Soru: D2PAK (TO-263) kılıfının montajında nelere dikkat edilmelidir?
→ Cevap: D2PAK, bir yüzey montaj (SMD) bileşenidir. Lehimleme sırasında, özellikle altındaki büyük metal tırnağın (tab) PCB'deki termal pede tam olarak ve boşluksuz lehimlenmesi çok önemlidir. Bu tırnak, MOSFET'in ana ısı dağıtım yoludur ve doğru lehimlenmemesi aşırı ısınmaya neden olabilir.
Soru: Bu MOSFET neden senkronize doğrultma (synchronous rectification) için idealdir?
→ Cevap: Senkronize doğrultma, geleneksel diyotların yerine düşük Rds(on) değerine sahip MOSFET'lerin kullanılmasıdır. IPB160N04S4-H1'in ultra düşük Rds(on) değeri, bir diyotun ileri yön gerilim düşümünden kaynaklanan kayıplardan çok daha az kayba neden olur. Bu da özellikle düşük çıkış gerilimine sahip güç kaynaklarında verimliliği %5-10 oranında artırabilir.
Verimlilik odaklı tasarımlarınızda IPB160N04S4-H1'in sınıf lideri performansıyla fark yaratın!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Projenizin kesin gereksinimleri için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.