IPB60R125CFD7ATMA1 18A 600V D2PAK N-CH Mosfet

IPB60R125CFD7ATMA1, Infineon'un CoolMOS™ CFD7 serisinin bir üyesi olup, 600V yüksek gerilim dayanımı ve 18A akım kapasitesi sunan gelişmiş bir N-Kanal Süper-Junction (SJ) Mosfet'tir. Entegre hızlı gövde diyotu (fast body diode) ve düşük anahtarlama kayıpları sayesinde, özellikle rezonans topolojileri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir. D2PAK kılıfı, yüzey montaj tasarımlarında yüksek güç ve termal verimlilik sağlar.

IPB60R125CFD7ATMA1'in Özellikleri ve Avantajları

• CoolMOS™ CFD7 Teknolojisi: Düşük RDS(on) direncini düşük anahtarlama kayıplarıyla birleştirerek sınıfının en iyisi verimliliği sunar.
• Entegre Hızlı Gövde Diyotu: Mükemmel ters toparlanma (reverse recovery) karakteristiği, rezonans anahtarlamalı (LLC, ZVS) devrelerde güvenilirliği artırır ve verimliliği yükseltir.
• Yüksek Gerilim Kapasitesi: 600V VDS değeri, evrensel şebeke girişli güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalar için idealdir.
• Düşük Gate Şarjı (Qg): Düşük sürücü gücü gerektirir ve yüksek frekanslarda verimli anahtarlamaya olanak tanır.
• D2PAK Kılıfı: Otomatik dizgiye uygun yüzey montaj kılıfı, mükemmel termal performans ile kompakt tasarımları birleştirir.

Başlıca Kullanım Alanları

• Sunucu ve telekom SMPS (Anahtarlamalı Güç Kaynağı) sistemleri
• Solar invertörler ve enerji depolama sistemleri
• Yüksek verimli aydınlatma (LED sürücüler) ve TV güç kaynakları
• Elektrikli araçlar için dahili şarj üniteleri (OBC - On-Board Chargers)
• Endüstriyel motor sürücüleri ve kaynak makineleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

'Hızlı Gövde Diyotu' (Fast Body Diode) ne işe yarar?
→ LLC gibi rezonans veya ZVS (Sıfır Voltaj Anahtarlama) topolojilerinde, mosfetin içindeki gövde diyotu akım taşımak zorunda kalır. Standart bir mosfetin diyotu yavaştır ve yüksek kayıplara neden olur. 'CFD' serisindeki hızlı diyot ise bu süreçte kayıpları minimize ederek devrenin verimliliğini ve güvenilirliğini artırır.

Süper-Junction (SJ) Mosfet'in avantajı nedir?
→ Süper-Junction teknolojisi, yüksek gerilim mosfetlerinde RDS(on) direncini geleneksel mosfetlere göre önemli ölçüde düşürmeyi başarır. Bu, aynı gerilim ve akım seviyesi için çok daha düşük iletim kayıpları ve dolayısıyla daha yüksek verimlilik anlamına gelir.

Yüksek frekanslı ve rezonans anahtarlamalı güç tasarımlarınızda IPB60R125CFD7ATMA1 ile verimlilikte yeni bir seviyeye ulaşın.

Not: Bu sayfadaki bilgiler yalnızca genel bir bakış sunmaktadır. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.