Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.IRFB3207Z, International Rectifier'ın kanıtlanmış HEXFET® teknolojisine dayanan, son derece sağlam ve yüksek performanslı bir N-Kanal güç MOSFET'idir. Düşük Rds(on) değeri, yüksek çığ akımı dayanıklılığı ve hızlı anahtarlama kabiliyeti ile özellikle yüksek güçlü invertörler, endüstriyel motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi zorlu uygulamalar için tasarlanmıştır. Standart TO-220 kılıfı, soğutucu ile kolay montaj imkanı sunar.
Soru: IRFB3207Z'yi sürerken nelere dikkat etmeliyim?
→ Cevap: Bu MOSFET, en iyi anahtarlama performansını ve en düşük Rds(on) değerini elde etmek için genellikle 10V'luk bir gate-source gerilimi (Vgs) ile sürülmelidir. Düşük gate şarjına sahip olmasına rağmen, yüksek frekanslı uygulamalarda hızlı ve verimli anahtarlama için yeterli akım kapasitesine sahip bir gate sürücü entegresi kullanılması tavsiye edilir.
Soru: Bu MOSFET'in 'Z' soneki ne anlama geliyor?
→ Cevap: Genellikle üreticiler, teknolojideki bir geliştirmeyi veya belirli bir optimizasyonu belirtmek için bu tür sonekler kullanır. 'Z' soneki, genellikle Rds(on) ve Gate Şarjı (Qg) gibi anahtar parametrelerde bir iyileştirme yapıldığını gösteren optimize edilmiş bir versiyonu ifade eder. Kesin bilgi için her zaman datasheet'e başvurulmalıdır.
IRFB3207Z'nin üstün verimliliği ve sağlamlığı ile en zorlu güç projelerinizin üstesinden gelin!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Projenizin kesin gereksinimleri için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.