Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.IRLR3636, yüksek akım kapasitesini ve düşük gate sürüş gereksinimini bir araya getiren, son derece verimli bir N-Kanal Mantık Seviyesi (Logic Level) HEXFET Power Mosfet'tir. 60V gerilim ve 50A gibi yüksek bir akım değerini, kompakt ve yüzey montaja uygun DPAK kılıfında sunar. Bu özellikleri onu, özellikle otomotiv ve batarya yönetim sistemleri için popüler bir seçenek yapar.
Soru: Bu MOSFET'i 50A'de soğutucusuz kullanabilir miyim?
→ Cevap: Hayır, bu mümkün değildir. 50A gibi yüksek bir akım, en düşük RDS(on) değerinde bile önemli miktarda ısı üretecektir. MOSFET'in bu akımda güvenli bir şekilde çalışabilmesi için, DPAK kılıfının altındaki metal tırnağın çok katmanlı ve termal via'larla güçlendirilmiş geniş bir PCB bakır alanına lehimlenmesi ve hatta ek bir soğutucu (heatsink) kullanılması gerekir.
Soru: IRLR3636, 3.3V mantık seviyesi ile çalışır mı?
→ Cevap: En iyi performansı (en düşük RDS(on)) 4.5V-5V gate geriliminde gösterir. 3.3V'ta kısmen açılacak ancak iç direnci daha yüksek olacağı için daha fazla ısınacaktır. Bu nedenle, 3.3V sistemlerle kullanım için kritik uygulamalarda tavsiye edilmez. 5V sistemler için idealdir.
IRLR3636'nın yüksek akım ve mantık seviyesi sürüş kabiliyeti ile güçlü ve verimli kontrol devreleri oluşturun.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.