Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
IXSQ10N60B2D1 20A 600V TO-3P IGBT
Hafta sonu verilen siparişler: Salı günü kargoda
Mücbir sebep, ürün adeti ve yoğunluğa göre değişiklik gösterir!
Bu ürün için güncel stok ve teslim süresi bilgisi alınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.IXSQ10N60B2D1 TO-3P IGBT Transistör
IXSQ10N60B2D1, 600V gerilim ve 10A akım değerlerine sahip, güvenilir bir N-Kanal IGBT transistörüdür. Genellikle endüstriyel uygulamalarda tercih edilen sağlam TO-3P kılıfı ile sunulmaktadır. Bu komponent, düşük iletim kayıpları ve kararlı çalışma performansı gerektiren orta-düşük güçteki anahtarlama devreleri için optimize edilmiştir. Dahili diyotu sayesinde devre tasarımını basitleştirir ve genel sistem maliyetini düşürür.
IXSQ10N60B2D1'nin Özellikleri ve Avantajları
- Güvenilir Performans: 600V Kolektör-Emitör gerilimi ve 10A sürekli kolektör akımı ile kararlı bir çalışma sunar.
- TO-3P Kılıf: TO-247'ye benzer boyutlarda olan bu kılıf, mükemmel termal dağılım ve mekanik dayanıklılık sağlar, montajı kolaydır.
- Entegre Hızlı Diyot: İçerisinde bulunan hızlı geri toparlanma diyotu (FRD), endüktif yüklerin anahtarlanması sırasında ek komponent ihtiyacını ortadan kaldırır.
- Yüksek Verimlilik: Optimize edilmiş VCE(sat) değeri ile iletim sırasında oluşan güç kaybını minimuma indirir.
- Geniş Çalışma Sıcaklığı Aralığı: Zorlu endüstriyel ortamlarda güvenilir performans için geniş bir sıcaklık aralığında çalışabilir.
Başlıca Kullanım Alanları
- Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
- Güç Faktörü Düzeltme (PFC) katları
- Elektronik Aydınlatma Balastları
- Küçük Ev Aletleri Motor Kontrolü
- Akü Şarj Sistemleri
Sık Sorulan Sorular (SSS)
TO-3P ve TO-247 kılıfları arasındaki temel fark nedir?
→ TO-3P ve TO-247 kılıfları fiziksel olarak çok benzerdir ve genellikle birbirlerinin yerine kullanılabilirler. Aralarındaki küçük boyutsal farklar ve bazen de termal performans değerleri bulunabilir. Montaj delikleri ve pin aralıkları genellikle aynıdır.
Bu IGBT'nin gate (kapı) sürüş gerilimi nedir?
→ Çoğu IGBT gibi, IXSQ10N60B2D1'in de tam olarak iletime geçmesi için genellikle +12V ila +15V arasında bir Gate-Emitör gerilimi (VGE) uygulanması gerekir. Kesin değerler için ürünün datasheet'ine bakılmalıdır.
Orta güçteki anahtarlamalı güç kaynağı ve kontrol devreleriniz için IXSQ10N60B2D1, güvenilir ve ekonomik bir çözümdür.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.