IXYN82N120C3H1 SOT227B

IXYN82N120C3H1, yüksek güç ve yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmış, endüstriyel standart SOT227B kılıfında bir IGBT (Yalıtılmış Kapılı Bipolar Transistör) modülüdür. GenX3™ teknolojisi sayesinde düşük anahtarlama kayıpları ve yüksek verimlilik sunarak zorlu koşullarda bile güvenilir performans sağlar.

IXYN82N120C3H1'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Gerilim Kapasitesi: 1200V'luk Kolektör-Emitör gerilimi ile endüstriyel şebeke uygulamaları için idealdir.
• Yüksek Akım Taşıma: 82A sürekli akım kapasitesi, yüksek güçlü motor sürücüleri ve invertörler için uygundur.
• Endüstriyel Kılıf: SOT-227B kılıfı, mükemmel termal performans ve kolay montaj imkanı sunar.
• Düşük Doyma Gerilimi (VCE(sat)): İletim sırasındaki güç kaybını minimize ederek sistem verimliliğini artırır.
• Hızlı Anahtarlama: Yüksek frekanslı uygulamalarda verimli çalışmayı destekler ve anahtarlama kayıplarını azaltır.

Başlıca Kullanım Alanları

• AC ve DC Motor Sürücüleri
• Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
• Güneş ve Rüzgar Enerjisi İnvertörleri
• Endüstriyel Kaynak Makineleri
• Yüksek Güçlü Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
• Akü Şarj Sistemleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: SOT-227B kılıfının temel avantajı nedir?
→ SOT-227B, izole bir tabana sahiptir. Bu, birden fazla modülün aynı soğutucuya elektriksel izolasyon pedleri olmadan monte edilebilmesini sağlar, bu da montajı basitleştirir ve termal performansı iyileştirir.

Soru: Bu IGBT modülü için bir sürücü devresi gerekli midir?
→ Evet, IGBT'nin Gate terminalini doğru ve hızlı bir şekilde anahtarlamak için uygun bir Gate sürücü entegresi veya devresi kullanılması zorunludur. Bu, verimli ve güvenli bir çalışma için kritik öneme sahiptir.

Yüksek güç ve verimlilik gerektiren endüstriyel uygulamalarınızda güvenilir performans için IXYN82N120C3H1 ideal bir seçimdir.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel referans amaçlıdır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.