Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.KGF50N60KDA, yüksek hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı gerektiren modern güç elektroniği devreleri için optimize edilmiş, 600V 50A bir N-Kanal IGBT transistördür. Sağlam TO-247 kılıfı ve entegre hızlı geri kazanımlı diyot (Fast Recovery Diode) özelliği ile verimliliği ve güvenilirliği bir arada sunar.
Soru: IGBT nedir ve MOSFET'ten temel farkı nedir?
→ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), MOSFET'in kolay sürülme özelliğini (yüksek giriş empedansı) Bipolar Transistörün (BJT) yüksek akım ve düşük iletim kaybı avantajlarıyla birleştiren bir yarı iletken komponenttir. Genellikle yüksek gerilim ve akım uygulamalarında MOSFET'lere göre daha verimlidir.
Soru: Bu IGBT'deki 'KDA' soneki ne anlama geliyor?
→ Genellikle üretici kodlarında 'D' harfi, içerisinde hızlı bir geri kazanımlı diyot (Fast Recovery Diode) bulunduğunu belirtir. Bu, özellikle endüktif yüklerin sürüldüğü uygulamalarda (motorlar gibi) büyük avantaj sağlar.
Güç elektroniği tasarımlarınızda verimliliği ve performansı KGF50N60KDA IGBT ile bir üst seviyeye taşıyın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler yalnızca genel referans amaçlıdır. Projelerinizde en doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.