Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.MG75J2YS50, Toshiba tarafından üretilen, yüksek performanslı bir N-Kanal IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) modülüdür. Özellikle yüksek frekanslı anahtarlama gerektiren uygulamalar, motor kontrol devreleri ve endüstriyel invertörler için tasarlanmıştır. Düşük doyma gerilimi ve hızlı anahtarlama kabiliyeti sayesinde güç kayıplarını minimize ederek sistem verimliliğini önemli ölçüde artırır.
Bu modül için önerilen gate sürücü voltajı nedir?
→ Genellikle +15V (açma) ve -5V ile -15V arası (kapama) bir gate voltajı önerilir. Hassas değerler için mutlaka ürünün teknik veri föyünü (datasheet) inceleyiniz.
MG75J2YS50 modülünün termal performansı nasıl iyileştirilir?
→ Modülün taban plakası ile soğutucu arasına kaliteli bir termal macun uygulamak ve yeterli hava akışı veya sıvı soğutma sağlamak, termal performansı artırmak için kritik öneme sahiptir.
Güç elektroniği projelerinizde Toshiba kalitesi ve güvencesiyle verimliliği en üst düzeye çıkarmak için MG75J2YS50 modülünü tercih edin.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.