Tüm Üyelere 2000 TL Üzeri Kargo Bedava
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
MG8Q6ES1
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

MG8Q6ES1

Açıklama
IGBT MOD.DIODE SIX 8A 1200V GTR
Belgeler
Teslimat Bilgisi
Hafta içi 12:00’ye kadar verilen siparişler: Ertesi gün kargoda
Hafta sonu verilen siparişler: Salı günü kargoda

Mücbir sebep, ürün adeti ve yoğunluğa göre değişiklik gösterir!
Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 5,23 + KDV
İndirimli Fiyat $ 5,23 + KDV
KDV Dahil TL 268,08 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

MG8Q6ES1

MG8Q6ES1, kompakt ve verimli güç elektroniği devreleri için tasarlanmış, yüksek hızlı bir N-Kanal IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) komponentidir. 600V gerilim ve 8A akım kapasitesini TO-220SIS gibi standart bir kılıfta sunan bu transistör, özellikle anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), aydınlatma balastları ve küçük motor kontrol uygulamaları için idealdir.

MG8Q6ES1'nin Özellikleri ve Avantajları

  • Yüksek Hızlı Anahtarlama: Düşük anahtarlama süreleri (turn-on/turn-off), yüksek frekanslı uygulamalarda verimliliği artırır ve pasif komponent boyutlarını küçültür.
  • Düşük Doyma Gerilimi (VCE(sat)): Düşük iletim kayıpları sayesinde transistör daha az ısınır ve enerji verimliliği artar.
  • Standart TO-220 Kılıf: Endüstri standardı olan bu kılıf, montaj kolaylığı sağlar ve standart soğutucularla uyumludur.
  • Dahili Damper Diyot: Bazı versiyonlarında bulunan dahili diyot, indüktif yük anahtarlamasında oluşan gerilim piklerine karşı koruma sağlar.
  • Maliyet Etkin Çözüm: MOSFET'lere göre yüksek gerilim ve akım uygulamalarında daha maliyet etkin bir anahtarlama çözümü sunar.

Başlıca Kullanım Alanları

  • Güç Faktörü Düzeltme (PFC) Devreleri
  • Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
  • Elektronik Aydınlatma Balastları
  • Küçük Ev Aletleri Motor Kontrolü (örn. çamaşır makinesi, klima)
  • İndüksiyonlu Isıtma Sistemleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Bu IGBT'nin bir MOSFET'ten farkı nedir?
→ IGBT'ler, MOSFET'lerin kolay sürülme özelliğini BJT'lerin yüksek akım ve düşük iletim kaybı özellikleriyle birleştirir. Genellikle 300V üzeri gerilimlerde ve birkaç amperden yüksek akımlarda, IGBT'ler eşdeğer MOSFET'lere göre daha düşük iletim kaybı (VCE(sat)) sunar.

Gate direncini (Rg) nasıl seçmeliyim?
→ Gate direnci, anahtarlama hızını ve EMI performansını kontrol eden kritik bir komponenttir. Daha düşük bir Rg, daha hızlı anahtarlama ama daha fazla voltaj aşımı (overshoot) ve zil sesi (ringing) anlamına gelir. Daha yüksek bir Rg ise anahtarlamayı yavaşlatır ama daha 'temiz' bir geçiş sağlar. Datasheet'te önerilen değer aralığına göre bir başlangıç noktası seçilmelidir.

Kompakt ve verimli güç kaynağı tasarımlarınızda MG8Q6ES1'in hızlı anahtarlama yetenekleriyle performansı yakalayın.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.