Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.MGD623N, yüksek voltaj ve yüksek akım anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış güçlü bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) komponentidir. MOSFET'in kolay sürülme özelliğini Bipolar Transistör'ün (BJT) yüksek akım ve düşük doyma gerilimi avantajlarıyla birleştiren bu teknoloji, özellikle motor sürücüleri ve inverter devreleri için idealdir. Geniş TO-3P kılıfı, mükemmel termal performans sunarak yüksek güç altında bile güvenilir bir çalışma sağlar.
IGBT'nin MOSFET'e göre avantajı nedir?
→ IGBT'ler, özellikle yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında, MOSFET'lere göre daha düşük iletim kayıplarına (daha düşük Vce(sat)) sahiptir. Bu da onları motor sürücüleri gibi yüksek güç gerektiren alanlarda daha verimli hale getirir. MOSFET'ler ise genellikle daha yüksek anahtarlama hızlarına sahiptir.
TO-3P kılıfının TO-247'den farkı var mıdır?
→ TO-3P ve TO-247 kılıfları boyut ve pin aralığı olarak birbirine çok benzer ve çoğu zaman birbirinin yerine kullanılabilir. Aralarında küçük mekanik farklılıklar olabilir, bu nedenle PCB tasarımında her iki kılıfın da footprint'ini kontrol etmek iyi bir uygulamadır. Her ikisi de yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır.
Endüstriyel motor kontrolü ve yüksek güç inverter projelerinizde MGD623N IGBT'nin gücünden faydalanın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Projelerinizde en doğru sonuçlar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.