Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.NGD18N40ACLBT4G, özellikle otomotiv ateşleme sistemleri gibi yüksek voltaj ve yüksek enerji gerektiren zorlu uygulamalar için tasarlanmış, DPAK paketinde bir N-Kanal IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Bu bileşen, mosfetin kolay sürülme özelliğini bipolar transistörün yüksek akım yoğunluğu ile birleştirir.
Soru: Bu bileşen bir Mosfet mi yoksa IGBT mi?
→ Cevap: NGD18N40ACLBT4G bir IGBT'dir. IGBT'ler, Mosfet gibi voltaj kontrollü bir gate'e sahiptir ancak çıkış katmanı bir bipolar transistör (BJT) yapısındadır. Bu, özellikle yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında daha düşük iletim kayıpları (Vce(sat)) sunmalarını sağlar.
Soru: Bu IGBT'yi genel amaçlı bir mosfet yerine kullanabilir miyim?
→ Cevap: Genellikle hayır. IGBT'ler, Mosfet'lere göre daha yavaş anahtarlama hızlarına sahiptir ve özellikle 'turn-off' süreleri daha uzundur. Bu nedenle, yüksek frekanslı SMPS gibi uygulamalar için uygun değillerdir. Ateşleme gibi düşük frekanslı, yüksek enerjili anahtarlama görevleri için optimize edilmişlerdir.
Otomotiv ateşleme sistemlerinde maksimum güvenilirlik ve performans için NGD18N40ACLBT4G en doğru tercihtir.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.