Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Güç anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik ve performans arayanlar için geliştirilmiş NSS1C200LT1G, 2A gibi yüksek bir akım kapasitesini ve 100V gerilim dayanımını kompakt SOT23 kılıfında bir araya getiren bir NPN Bipolar Transistördür. Özellikle düşük doyma gerilimi (VCE(sat)) özelliği ile öne çıkan bu komponent, güç kayıplarını minimize ederek verimli bir çalışma sunar.
Düşük VCE(sat) değerinin en büyük avantajı nedir?
→ En büyük avantajı verimliliktir. Güç kaybı (P = VCE(sat) * IC) formülüne göre, VCE(sat) ne kadar düşük olursa, aynı akımda o kadar az güç kaybı (ısı) oluşur. Bu, özellikle pille çalışan cihazlarda daha uzun pil ömrü ve daha az ısınma anlamına gelir.
SOT23 kılıfı 2A akımı nasıl kaldırıyor?
→ Bu tür modern transistörler, özel yarı iletken tasarımları ve kılıf içi termal iyileştirmeler sayesinde bu akım seviyelerini kaldırabilir. Ancak, maksimum performansı elde etmek için PCB tasarımında transistörün kolektör pinine bağlı bakır alanını geniş tutarak bir miktar soğutma sağlamak önemlidir.
Güç anahtarlama devrelerinizde verimliliği ve performansı NSS1C200LT1G ile en üst seviyeye taşıyın!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir referans sağlamak amacıyla hazırlanmıştır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.