Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Yüksek akım ve termal performans gerektiren zorlu güç yönetimi uygulamaları için tasarlanmış olan NSS60600MZ4T1G, etkileyici bir şekilde 6A sürekli akım ve 60V gerilim dayanımı sunan, ultra düşük VCE(sat) değerine sahip bir NPN Bipolar Transistördür. Isı dağıtımı için optimize edilmiş SOT223 kılıfı ile yüksek güç uygulamalarında bile serin ve verimli çalışır.
SOT223 kılıfının SOT23'ten farkı nedir?
→ SOT223, SOT23'ten daha büyük bir kılıftır ve en belirgin farkı, genellikle kolektör pinine bağlı olan geniş metal bir tırnağa sahip olmasıdır. Bu tırnak, PCB'deki geniş bir bakır alana lehimlenerek bir soğutucu görevi görür ve çok daha yüksek güç seviyelerini yönetmesine olanak tanır.
Bu transistör neden MOSFET yerine tercih edilebilir?
→ BJT'ler (Bipolar Jonksiyonlu Transistörler), bazı düşük voltajlı uygulamalarda MOSFET'lere göre daha düşük bir 'açık' durum gerilimine (VCE(sat) vs VGS(th)) sahip olabilirler. Ayrıca, bazı sürücü devreleri için tasarımları daha basit olabilir. Seçim, projenin özel gereksinimlerine bağlıdır.
Yüksek akım ve verimliliğin birleştiği nokta: NSS60600MZ4T1G ile güç sizin kontrolünüzde!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir referans sağlamak amacıyla hazırlanmıştır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.