P4B60HP2F-5071 4A 600V TO252AA (DPAK) N-CH Mosfet

P4B60HP2F-5071, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarını kompakt bir form faktöründe sunan, modern bir N-Kanal (N-CH) güç MOSFET'idir. 4A akım ve 600V gerilim dayanımını, popüler TO252AA (DPAK) yüzey montaj kılıfında birleştirerek, yerden tasarruf sağlayan yüksek verimli tasarımlara olanak tanır.

P4B60HP2F-5071'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Gerilim Dayanımı: 600V'luk VDS değeri, evrensel AC şebeke gerilimi ile çalışan güç kaynakları ve adaptörler için güvenli bir çalışma marjı sunar.
• Verimli Akım Yönetimi: 4A'e kadar olan akımları etkin bir şekilde kontrol eder.
• Kompakt DPAK Kılıfı: Yüzey montaj (SMD) teknolojisi, otomatik montaj hatları için idealdir ve PCB üzerinde minimum yer kaplayarak daha küçük ürün tasarımlarını mümkün kılar.
• Düşük Gate Şarjı (Qg): Hızlı anahtarlama ve düşük sürücü devresi güç tüketimi sağlayarak genel verimliliği artırır.
• Geliştirilmiş dv/dt Yeteneği: Hızlı gerilim değişimlerine karşı yüksek dayanıklılık, devrenin kararlılığını ve güvenilirliğini artırır.
• İyi Termal Performans: DPAK kılıfının altındaki termal ped, oluşan ısının PCB'ye verimli bir şekilde aktarılmasını sağlar.

Başlıca Kullanım Alanları

• Kompakt AC/DC Adaptörler ve Şarj Cihazları
• LED Aydınlatma Sürücüleri ve Elektronik Balastlar
• Tüketici Elektroniği Güç Kaynakları (TV, monitör vb.)
• Yardımcı Güç Kaynakları (Auxiliary Power Supplies)
• Ev Aletleri ve Beyaz Eşya Kontrol Kartları
• Flyback ve Buck Dönüştürücü Topolojileri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: Yüksek gerilimli bir MOSFET'i neden DPAK gibi küçük bir kılıfta kullanayım?
→ Cevap: Modern elektronik cihazlar giderek küçülmektedir. P4B60HP2F-5071 gibi SMD kılıflı yüksek gerilim MOSFET'leri, geleneksel delik montajlı (through-hole) komponentlere göre daha az yer kaplayarak daha kompakt ve hafif güç kaynağı tasarımlarına olanak tanır. Özellikle düşük-orta güçteki adaptörler ve LED sürücüler için idealdirler.

Soru: Bu MOSFET ile flyback SMPS tasarlarken nelere dikkat etmeliyim?
→ Cevap: Flyback topolojisinde, MOSFET kapandığında trafoda depolanan enerji nedeniyle 'drain' bacağında yüksek bir gerilim piki oluşur. Bu pikin MOSFET'in 600V'luk maksimum VDS değerini aşmadığından emin olmak için uygun bir 'snubber' devresi tasarlamak kritik öneme sahiptir.

Kompakt ve verimli yüksek gerilim tasarımlarınız için P4B60HP2F-5071 en ideal çözümdür!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.