Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.P55F6EN-5600, düşük gerilim ve çok yüksek akım gerektiren uygulamalarda maksimum verimlilik ve güvenilirlik sağlamak üzere tasarlanmış, üstün performanslı bir N-Kanal (N-CH) güç MOSFET'idir. 55A gibi çok yüksek bir akım kapasitesini, 60V gerilim dayanımı ve TO220F (tamamen izoleli) kılıfının sağladığı montaj kolaylığı ile birleştirir.
Soru: 55A gibi yüksek bir akımda TO220F kılıfı yeterli soğutmayı sağlayabilir mi?
→ Cevap: P55F6EN-5600'ün extrem düşük RDS(on) değeri sayesinde, 55A'lik bir akımda bile ürettiği ısı miktarı yönetilebilir seviyededir. Ancak bu akım seviyelerinde, komponentin güvenli sıcaklık limitleri içinde kalması için kılıfın mutlaka uygun boyutlarda bir alüminyum soğutucuya ve iyi bir termal macuna monte edilmesi kesinlikle gereklidir.
Soru: Bu MOSFET'i paralel bağlayarak akım kapasitesini daha da artırabilir miyim?
→ Cevap: Evet, 100A veya daha yüksek akımları yönetmek için iki veya daha fazla P55F6EN-5600'ü paralel bağlayabilirsiniz. Akımın MOSFET'ler arasında eşit şekilde dağılmasını sağlamak ve kararlı bir çalışma elde etmek için her birinin gate'ine ayrı bir direnç koymak ve PCB yerleşimini simetrik yapmak gibi tasarım teknikleri uygulanmalıdır.
En zorlu düşük voltajlı güç uygulamalarınızda P55F6EN-5600 ile performansta sınırları zorlayın!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.