Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.PJU4NA65H, 650V gibi çok yüksek bir Drain-Source gerilimine ve 3A sürekli drain akımına sahip, güçlü bir N-Kanal Güç Mosfet'idir. Termal performansı iyi olan IPAK (TO-251) kılıfında sunulan bu komponent, özellikle anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), aydınlatma balastları ve AC-DC dönüştürücüler gibi yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır.
Soru: IPAK kılıfı için bir soğutucu kullanmam gerekir mi?
→ Cevap: Bu, mosfet'in çalıştığı güç seviyesine bağlıdır. Düşük güçlerde soğutucusuz çalışabilir, ancak 3A'e yakın akımlarda veya yüksek anahtarlama frekanslarında, oluşan ısıyı etkin bir şekilde dağıtmak için kılıfa uygun bir soğutucu takılması kesinlikle önerilir.
Soru: 650V'luk bir mosfet'in gate'ini sürerken nelere dikkat etmeliyim?
→ Cevap: Yüksek gerilim mosfetlerini sürerken, gate sürücü devresinin ana güç devresinden iyi bir şekilde izole edilmesi önemlidir. Ayrıca, hızlı ve temiz bir anahtarlama sağlamak için gate direncini (Rg) doğru seçmek ve PCB yollarını kısa tutmak, EMI (Elektromanyetik Girişim) sorunlarını azaltmaya yardımcı olur.
650V'luk yüksek dayanımı ile PJU4NA65H, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) ve aydınlatma balastları için güvenilir bir tercihtir.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.