Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.QM75DY-2H, Mitsubishi Electric tarafından üretilen, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT transistör modülüdür. 1200V yüksek gerilim dayanımı ve 75A akım kapasitesi ile öne çıkan bu modül, 380/400V AC şebekelerinde çalışan motor sürücüleri, yenilenebilir enerji sistemleri ve endüstriyel invertörlerde maksimum güvenlik ve güvenilirlik sunar. Half-bridge (yarım köprü) yapısındadır.
Soru: Neden 600V yerine 1200V'luk bir IGBT kullanmalıyım?
→ Cevap: 220V AC şebekesi için genellikle 600V'luk IGBT'ler yeterliyken, 380V veya 400V'luk üç fazlı endüstriyel şebekelerde çalışacak invertörler için 1200V'luk IGBT'ler kullanılır. Bu, doğrultulmuş DC bara geriliminin (yaklaşık 560V) ve anahtarlama sırasında oluşabilecek gerilim piklerinin üzerinde güvenli bir çalışma marjı bırakmak için gereklidir.
Soru: Bu modülün gate sürücüsü için izole bir güç kaynağı gerekir mi?
→ Cevap: Evet. Yarım köprü yapısındaki 'high-side' (üstteki) IGBT'nin emitter'ı sabit bir potansiyelde olmadığı için, bu IGBT'yi süren gate sürücü devresinin kendine ait izole bir güç kaynağına (bootstrap devresi veya izole DC-DC konvertör gibi) ihtiyacı vardır.
Yüksek gerilimli endüstriyel sistemlerinizde güvenlik ve performanstan ödün vermemek için QM75DY-2H IGBT modülünü seçin.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En güncel ve kesin teknik özellikler için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.