Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.RJH30E2, Renesas tarafından geliştirilen, yüksek hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özelliklerini bir araya getiren bir N-Kanal IGBT transistördür. 360V gerilim ve 30A (darbeli 200A) akım kapasitesi ile bu komponent, özellikle strobe flaş üniteleri ve plazma TV (PDP) gibi yüksek tepe akımı gerektiren uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-220F tam izole plastik kılıfı, güvenli ve pratik bir montaj sunar.
Soru: RJH30E2'nin içinde diyot var mı?
→ Evet, RJH30E2, genellikle kolektör ve emitör arasına ters paralel olarak bağlanmış hızlı bir serbest geçiş diyodu (Free-Wheeling Diode - FWD) içerir. Bu, onu özellikle köprü tipi devreler ve endüktif yük kontrolü için çok kullanışlı hale getirir.
Soru: Bu IGBT, GT30F127'nin yerine kullanılabilir mi?
→ RJH30E2 ve GT30F127 benzer voltaj ve akım değerlerine sahiptir ve her ikisi de plazma TV'lerde kullanılır. Çoğu durumda birbirlerinin yerine kullanılabilirler ancak anahtarlama hızları ve Vce(sat) gibi ince detaylarda farklılıklar olabilir. En güvenli yol, her iki ürünün datasheet'ini karşılaştırmaktır.
Hızlı anahtarlama ve dahili diyot avantajı sunan RJH30E2 ile elektronik onarım ve tasarım projelerinize güç katın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.