Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Renesas RJH60F5, Renesas'ın 5. Nesil Field Stop (FS) teknolojisi ile üretilmiş, yüksek verimlilik için tasarlanmış, düşük kayıplı bir N-Kanal IGBT'dir. 600V gerilim ve 40A'lik yüksek akım kapasitesine sahip bu transistör, hem iletim ($V_{CE(sat)}$) hem de anahtarlama kayıplarını önemli ölçüde azaltarak modern güç elektroniği tasarımlarında güç yoğunluğunu ve verimliliği en üst düzeye çıkarır.
Bu IGBT'nin 'F5' serisinin özelliği nedir?
→ Renesas'ın 'F5' serisi, 5. nesil Field Stop teknolojisini belirtir. Bu teknoloji, Renesas'ın 600V IGBT'leri arasında iyi bir verimlilik ve hız dengesi sunar ve geniş bir uygulama yelpazesi için optimize edilmiştir.
Bu IGBT dahili bir diyot içeriyor mu?
→ Hayır, RJH60F5 standart olarak bir anti-paralel diyot içermez. Bu, mühendise uygulamaya özel (örneğin çok hızlı veya SiC) bir serbest geçiş diyodunun harici olarak kullanılmasına olanak tanır. Diyotlu versiyonu için 'DPQ' gibi soneklere sahip modellere (örn. RJH60F7DPQ) bakılmalıdır.
Yüksek verimlilik hedefleyen güç elektroniği tasarımlarınızda Renesas RJH60F5'in sunduğu 5. Nesil teknolojiden yararlanın. Performansta yeni bir standart belirleyin!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.