Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.RJH60T4DPQ, Renesas tarafından geliştirilen, 600V sınıfında, yüksek hızlı ve düşük kayıplı bir N-Kanal IGBT transistördür. Özellikle invertör devreleri ve PFC (Güç Faktörü Düzeltme) uygulamaları için tasarlanmıştır. Düşük doyma gerilimi (VCE(sat)) ve hızlı anahtarlama özelliklerini birleştiren bu komponent, TO-247 kılıfı ile verimli ve güvenilir bir çözüm sunar.
Soru: Bu IGBT, Renesas'ın hangi teknoloji serisine aittir?
→ Cevap: RJH60T4DPQ, Renesas'ın Trench Gate Field Stop teknolojisine sahip IGBT serisinin bir parçasıdır. Bu teknoloji, düşük iletim kaybı ve yüksek anahtarlama hızı arasında optimum bir denge kurarak modern güç elektroniği uygulamalarının verimlilik taleplerini karşılar.
Soru: Düşük VCE(sat) değerinin pratik faydası nedir?
→ Cevap: VCE(sat) değeri ne kadar düşükse, IGBT iletimdeyken üzerinde o kadar az güç ısı olarak harcanır. Bu, soğutucunun daha küçük seçilebilmesine, sistemin daha serin çalışmasına ve genel enerji verimliliğinin artmasına doğrudan katkı sağlar.
Renesas kalitesiyle tasarlanan RJH60T4DPQ ile invertör ve PFC devrelerinizde verimliliği en üst düzeye çıkarın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.