Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Renesas RJP3053DPP, özellikle yüksek akımlı ve yüksek hızlı darbe (pulse) anahtarlama gerektiren uygulamalar için tasarlanmış, özel bir N-Kanal IGBT'dir. 350V gerilim ve 40A akım kapasitesine sahip bu transistör, en başta Plazma Ekran Panellerinin (PDP) enerji geri kazanım (sustain) devrelerinde kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Çok düşük doyma gerilimi, hızlı anahtarlama özellikleri ve kullanıcı dostu izole TO-220F kılıfı, onu zorlu darbe uygulamaları için ideal bir bileşen yapar.
Bu IGBT'yi neden bir plazma ekran için kullanmalıyım?
→ RJP3053DPP, plazma ekranların çalışma prensibi olan yüksek akımlı, yüksek frekanslı gaz deşarjı darbelerini oluşturmak ve bu sırada harcanan enerjinin bir kısmını geri kazanmak için gereken özel anahtarlama karakteristiklerine ve dayanıklılığa sahip olacak şekilde tasarlanmıştır. Standart bir IGBT bu zorlu koşullarda hızla arızalanabilir.
Bu IGBT'nin diyodu var mı?
→ Evet, Renesas'ın bu serideki IGBT'leri genellikle gövdeye entegre (co-packaged) bir Hızlı Geri Toparlanma Diyodu (FRED) içerir. Bu, onu PDP'lerin rezonans benzeri çalışan sürücü devreleri için uygun hale getirir.
Yüksek akımlı darbe anahtarlama gerektiren özel projelerinizde veya plazma TV tamirlerinde Renesas RJP3053DPP'nin kanıtlanmış performansından ve sağlamlığından yararlanın!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.