Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Renesas RJP30E2DPP-M0, özellikle yüksek akımlı ve yüksek hızlı darbe (pulse) anahtarlama gerektiren uygulamalar için tasarlanmış, özel bir N-Kanal IGBT'dir. 360V gerilim ve 30A akım kapasitesine sahip bu transistör, en başta Plazma Ekran Panellerinin (PDP) enerji geri kazanım (sustain) devrelerinde kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Çok düşük doyma gerilimi, hızlı anahtarlama özellikleri ve kullanıcı dostu izole TO-220F kılıfı, onu zorlu darbe uygulamaları için ideal bir bileşen yapar.
RJP30E2 ile RJP3044 arasındaki fark nedir?
→ Her ikisi de Renesas tarafından üretilmiş, benzer (360V 30A) özelliklere sahip ve PDP uygulamaları için tasarlanmış IGBT'lerdir. 'E2' ve '44' sonekleri genellikle farklı jenerasyonları veya küçük performans optimizasyonlarını belirtir. Çoğu tamir ve tasarım uygulamasında birbirlerinin yerine kullanılabilirler, ancak en iyi sonuç için her zaman orijinal parça veya datasheet'te belirtilen en yakın eşdeğer kullanılmalıdır.
Bu IGBT'nin diyodu var mı?
→ Evet, Renesas'ın bu serideki IGBT'leri genellikle gövdeye entegre (co-packaged) bir Hızlı Geri Toparlanma Diyodu (FRED) içerir. Bu, onu PDP'lerin rezonans benzeri çalışan sürücü devreleri için uygun hale getirir.
Yüksek akımlı darbe anahtarlama gerektiren özel projelerinizde Renesas RJP30E2'nin kanıtlanmış performansından ve sağlamlığından yararlanın. Zorlu koşullar için tasarlanmış güvenilir bir çözüm!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.