Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.RJP30E3DPK, Renesas tarafından geliştirilen, yüksek hızlı anahtarlama ve düşük iletim kaybı özelliklerini bir araya getiren gelişmiş bir N-Kanal IGBT transistörüdür. TO-3P kılıfı ile sunulan bu komponent, özellikle plazma ekran panelleri (PDP), kaynak makineleri ve motor sürücüleri gibi yüksek akım gerektiren uygulamalar için tasarlanmıştır.
Soru: Bu IGBT'yi paralel bağlayarak akım kapasitesini artırabilir miyim?
→ Cevap: Evet, IGBT'ler genellikle paralel bağlanabilir. Ancak, akımın transistörler arasında eşit olarak dağıldığından emin olmak için gate sürücü devresinin dikkatli bir şekilde tasarlanması ve her bir IGBT için ayrı bir gate direnci kullanılması şiddetle tavsiye edilir. Ürünün datasheet'inde bu konuyla ilgili özel notlar olabilir.
Soru: RJP30E3DPK hangi voltaj seviyeleri için uygundur?
→ Cevap: Bu IGBT, orta-yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. Tipik kolektör-emiter arıza gerilimi (Vces) genellikle 360V civarındadır. Projenizin gereksinimleri için kesin değeri doğrulamak adına mutlaka resmi datasheet belgesine başvurunuz.
Güç elektroniği uygulamalarınızda RJP30E3DPK ile hız ve güvenilirliği bir araya getirin!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.