Tüm Üyelere 2000 TL Üzeri Kargo Bedava
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
RJP30E3DPK - RJP30E3 TO-3P IGBT - Transistör
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

RJP30E3DPK - RJP30E3 TO-3P IGBT - Transistör

Marka
Kategori
Açıklama
RJP30E3DPK | RJP30E3 TO-3P Renesas IGBT
Belgeler
Teslimat Bilgisi

Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.

(Mücbir sebepler hariç)

Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 3,60 + KDV
İndirimli Fiyat $ 3,38 + KDV
KDV Dahil TL 169,94 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

RJP30E3DPK (RJP30E3) | 360V 30A PDP Yüksek Hızlı IGBT

Renesas RJP30E3DPK, özellikle yüksek akımlı ve yüksek hızlı darbe (pulse) anahtarlama gerektiren uygulamalar için tasarlanmış, özel bir N-Kanal IGBT'dir. 360V gerilim ve 30A akım kapasitesine sahip bu transistör, en başta Plazma Ekran Panellerinin (PDP) enerji geri kazanım (sustain) devrelerinde kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Çok düşük doyma gerilimi, hızlı anahtarlama özellikleri ve yüksek güç kapasiteli TO-3P kılıfı, onu zorlu darbe uygulamaları için ideal bir bileşen yapar.

RJP30E3DPK'nin Özellikleri ve Avantajları

  • PDP Uygulamaları İçin Optimize Edilmiştir: Plazma ekranların yüksek akımlı, yüksek frekanslı darbe gereksinimleri için özel olarak tasarlanmıştır.
  • Yüksek Hızlı Anahtarlama: Hızlı anahtarlama performansı, yüksek frekanslı darbe uygulamalarında verimliliği artırır.
  • Düşük Doyma Gerilimi: Düşük $V_{CE(sat)}$ (tipik 1.5V) değeri, iletim kaybını minimize ederek verimliliği artırır.
  • Sağlam TO-3P Kılıfı: Yüksek güç altında etkin ısı dağıtımı sağlayan, endüstriyel standartta güvenilir bir kılıftır.

Başlıca Kullanım Alanları

  • Plazma Ekran Paneli (PDP) Sürücüleri: Özellikle enerji geri kazanım (sustain) ve adresleme devreleri için tasarlanmıştır.
  • Yüksek Akımlı Darbe Jeneratörleri: Yüksek frekanslı ve yüksek akımlı darbe üreten diğer elektronik devreler.
  • Rezonans Güç Kaynakları: Yüksek akım gerektiren rezonans dönüştürücü topolojileri.

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Bu IGBT'nin diğer kılıf tipleri var mı?
→ Evet, Renesas'ın bu teknolojiye sahip IGBT'leri genellikle farklı kılıflarda mevcuttur. TO-3P (RJP30E3DPK) yüksek güç için tasarlanmışken, TO-220F (izole) veya D2PAK (SMD) gibi farklı kılıflarda da benzer özelliklere sahip ürünler bulunabilir.

Bu IGBT'nin diyodu var mı?
→ Evet, Renesas'ın bu serideki IGBT'leri genellikle gövdeye entegre (co-packaged) bir Hızlı Geri Toparlanma Diyodu (FRED) içerir. Bu, onu PDP'lerin rezonans benzeri çalışan sürücü devreleri için uygun hale getirir.

Yüksek akımlı darbe anahtarlama gerektiren özel projelerinizde veya plazma TV tamirlerinde Renesas RJP30E3DPK'nin kanıtlanmış performansından ve sağlamlığından yararlanın!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.