Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Renesas RJP30E3DPK, özellikle yüksek akımlı ve yüksek hızlı darbe (pulse) anahtarlama gerektiren uygulamalar için tasarlanmış, özel bir N-Kanal IGBT'dir. 360V gerilim ve 30A akım kapasitesine sahip bu transistör, en başta Plazma Ekran Panellerinin (PDP) enerji geri kazanım (sustain) devrelerinde kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Çok düşük doyma gerilimi, hızlı anahtarlama özellikleri ve yüksek güç kapasiteli TO-3P kılıfı, onu zorlu darbe uygulamaları için ideal bir bileşen yapar.
Bu IGBT'nin diğer kılıf tipleri var mı?
→ Evet, Renesas'ın bu teknolojiye sahip IGBT'leri genellikle farklı kılıflarda mevcuttur. TO-3P (RJP30E3DPK) yüksek güç için tasarlanmışken, TO-220F (izole) veya D2PAK (SMD) gibi farklı kılıflarda da benzer özelliklere sahip ürünler bulunabilir.
Bu IGBT'nin diyodu var mı?
→ Evet, Renesas'ın bu serideki IGBT'leri genellikle gövdeye entegre (co-packaged) bir Hızlı Geri Toparlanma Diyodu (FRED) içerir. Bu, onu PDP'lerin rezonans benzeri çalışan sürücü devreleri için uygun hale getirir.
Yüksek akımlı darbe anahtarlama gerektiren özel projelerinizde veya plazma TV tamirlerinde Renesas RJP30E3DPK'nin kanıtlanmış performansından ve sağlamlığından yararlanın!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.