Tüm Üyelere 2000 TL Üzeri Kargo Bedava
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
RJP30E4 D2PAK IGBT - Transistör
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

RJP30E4 D2PAK IGBT - Transistör

Marka
Kategori
Açıklama
RJP30E4 D2PAK Renesas IGBT
Belgeler
Teslimat Bilgisi
Stokdan teslim, aynı gün kargo! (Mücbir sebepler hariç)
Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 2,50 + KDV
İndirimli Fiyat $ 2,35 + KDV
KDV Dahil TL 118,01 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

RJP30E4 (RJP30E4) | 360V 30A PDP Yüksek Hızlı IGBT

Renesas RJP30E4, özellikle yüksek akımlı ve yüksek hızlı darbe (pulse) anahtarlama gerektiren uygulamalar için tasarlanmış, özel bir N-Kanal IGBT'dir. 360V gerilim ve 30A akım kapasitesine sahip bu transistör, en başta Plazma Ekran Panellerinin (PDP) enerji geri kazanım (sustain) devrelerinde kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Çok düşük doyma gerilimi, hızlı anahtarlama özellikleri ve kompakt yüzey montaj D2PAK kılıfı, onu zorlu darbe uygulamaları için ideal bir bileşen yapar.

RJP30E4'ün Özellikleri ve Avantajları

  • PDP Uygulamaları İçin Optimize Edilmiştir: Plazma ekranların yüksek akımlı, yüksek frekanslı darbe gereksinimleri için özel olarak tasarlanmıştır.
  • Yüksek Hızlı Anahtarlama: Hızlı anahtarlama performansı, yüksek frekanslı darbe uygulamalarında verimliliği artırır.
  • Düşük Doyma Gerilimi: Düşük $V_{CE(sat)}$ (tipik 1.5V) değeri, iletim kaybını minimize ederek verimliliği artırır.
  • Kompakt D2PAK Kılıfı: Yüzey montaj (SMD) teknolojisine uygun D2PAK kılıfı, otomatik montaj süreçleri ve iyi bir termal performans sunar.

Başlıca Kullanım Alanları

  • Plazma Ekran Paneli (PDP) Sürücüleri: Özellikle enerji geri kazanım (sustain) ve adresleme devreleri için tasarlanmıştır.
  • Yüksek Akımlı Darbe Jeneratörleri: Yüksek frekanslı ve yüksek akımlı darbe üreten diğer elektronik devreler.
  • Rezonans Güç Kaynakları: Yüksek akım gerektiren rezonans dönüştürücü topolojileri.

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Bu IGBT'yi neden bir plazma ekran için kullanmalıyım?
→ RJP30E4, plazma ekranların çalışma prensibi olan yüksek akımlı, yüksek frekanslı gaz deşarjı darbelerini oluşturmak ve bu sırada harcanan enerjinin bir kısmını geri kazanmak için gereken özel anahtarlama karakteristiklerine ve dayanıklılığa sahip olacak şekilde tasarlanmıştır. Standart bir IGBT bu zorlu koşullarda hızla arızalanabilir.

Plazma ekranlar artık yaygın değil, bu IGBT'yi başka nerede kullanabilirim?
→ Plazma ekranlar eski bir teknoloji olsa da, RJP30E4'ün temel özellikleri (yüksek akım, yüksek hız, düşük kayıp) onu diğer modern uygulamalar için de potansiyel bir aday yapabilir. Örneğin, rezonans dönüştürücüler veya özel darbe üreten endüstriyel sistemlerde kullanılabilirliği test edilebilir.

Yüksek akımlı darbe anahtarlama gerektiren özel projelerinizde Renesas RJP30E4'ün kanıtlanmış performansından ve sağlamlığından yararlanın. Zorlu koşullar için tasarlanmış güvenilir bir çözüm!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.