Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Renesas RJP30H1, yüksek verimli ve yüksek hızlı güç anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış, yüksek performanslı bir N-Kanal Güç MOSFET'idir. 300V'luk Drain-Source gerilimi ve 30A'lik sürekli Drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, çok düşük R_DS(on) (iletim direnci) ve ultra hızlı anahtarlama özellikleri ile öne çıkar. Yüzey montaj D2PAK kılıfı sayesinde kompakt ve yüksek güç yoğunluğuna sahip tasarımlar için idealdir. Lütfen bu ürünün bir IGBT değil, bir MOSFET olduğunu unutmayın.
Bu ürün bir IGBT mi, MOSFET mi?
→ RJP30H1 bir MOSFET'tir. Her ikisi de güç anahtarlama elemanı olsa da, MOSFET'ler genellikle daha yüksek anahtarlama hızlarına sahiptir ve daha düşük voltajlarda daha verimlidir. IGBT'ler ise genellikle daha yüksek voltaj ve akım kapasiteleri sunar. Bu ürün, hızı ve düşük R_DS(on) değeri ile tipik bir güç MOSFET'idir.
RJP30H1 ile RJP30H2A arasındaki fark nedir?
→ Her ikisi de Renesas'ın çok benzer 300V 30A D2PAK MOSFET'leridir. 'H1' ve 'H2A' sonekleri genellikle farklı jenerasyonları veya küçük performans optimizasyonlarını belirtir. Çoğu durumda birbirlerinin yerine kullanılabilirler, ancak 'H2A' genellikle daha yeni ve biraz daha iyi özelliklere (örneğin daha düşük R_DS(on) veya daha hızlı anahtarlama) sahip olabilir.
Yüksek hızlı ve yüksek verimli güç elektroniği tasarımlarınızda Renesas RJP30H1 MOSFET'in sunduğu üstün performanstan yararlanın. Kompakt ve güçlü çözümler için ideal seçim!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.