Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Renesas RJP63G4, özellikle yüksek akımlı ve yüksek hızlı darbe (pulse) anahtarlama gerektiren uygulamalar için tasarlanmış, özel bir N-Kanal IGBT'dir. 360V gerilim ve 45A akım kapasitesine sahip bu transistör, en başta Plazma Ekran Panellerinin (PDP) enerji geri kazanım (energy recovery) devrelerinde kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Çok düşük doyma gerilimi, hızlı anahtarlama özellikleri ve yüksek güvenilirliği, onu zorlu darbe uygulamaları için ideal bir bileşen yapar.
Bu IGBT'yi neden bir plazma ekran için kullanmalıyım?
→ RJP63G4, plazma ekranların çalışma prensibi olan yüksek akımlı, yüksek frekanslı gaz deşarjı darbelerini oluşturmak ve bu sırada harcanan enerjinin bir kısmını geri kazanmak için gereken özel anahtarlama karakteristiklerine ve dayanıklılığa sahip olacak şekilde tasarlanmıştır. Standart bir IGBT bu zorlu koşullarda hızla arızalanabilir.
Plazma ekranlar artık yaygın değil, bu IGBT'yi başka nerede kullanabilirim?
→ Plazma ekranlar eski bir teknoloji olsa da, RJP63G4'ün temel özellikleri (yüksek akım, yüksek hız, düşük kayıp) onu diğer modern uygulamalar için de potansiyel bir aday yapabilir. Örneğin, rezonans dönüştürücüler veya özel darbe üreten endüstriyel sistemlerde kullanılabilirliği test edilebilir.
Yüksek akımlı darbe anahtarlama gerektiren özel projelerinizde Renesas RJP63G4'ün kanıtlanmış performansından ve sağlamlığından yararlanın. Zorlu koşullar için tasarlanmış güvenilir bir çözüm!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.