Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.SGT40N60FD2PN, yüksek frekanslı güç anahtarlama uygulamaları için özel olarak geliştirilmiş, yüksek performanslı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 40 Amper akım ve 600 Volt gerilim değerlerine sahip bu komponent, TO-3P kılıfı sayesinde mükemmel termal dağılım sunar. Özellikle inverter devreleri, kaynak makineleri ve endüksiyonlu ısıtma sistemlerinde düşük anahtarlama kayıpları ve yüksek verimlilik sağlamak üzere tasarlanmıştır.
Soru: IGBT, MOSFET'e göre ne gibi avantajlar sunar?
→ IGBT'ler, MOSFET'lerin kolay sürülme (voltaj kontrollü) avantajı ile BJT'lerin yüksek akım ve düşük doyma gerilimi avantajlarını birleştirir. Bu sayede, yüksek güç ve yüksek gerilim gerektiren uygulamalarda genellikle MOSFET'lere göre daha verimlidirler.
Soru: Bu IGBT'deki 'FD' harfleri ne anlama geliyor?
→ 'FD' genellikle 'Fast Diode' (Hızlı Diyot) anlamına gelir. Bu, IGBT'nin yapısında, endüktif yükler altında çalışırken ortaya çıkan ters akımlara karşı koruma sağlayan ve performansı artıran, hızlı tepki veren bir serbest geçiş diyotunun entegre edildiğini belirtir.
Güç elektroniği projelerinizde verimliliği ve performansı SGT40N60FD2PN IGBT ile bir üst seviyeye taşıyın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve kesin teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.