SGW50N60HS (G50N60HS) | 600V 50A Yüksek Hızlı IGBT Transistör

Infineon SGW50N60HS, Infineon'un yüksek performanslı HighSpeed (HS) serisine ait, hızlı anahtarlama için optimize edilmiş bir N-Kanal IGBT'dir. 600V gerilim ve 50A'lik yüksek akım kapasitesine sahip bu transistör, özellikle anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), güç faktörü düzeltme (PFC) devreleri ve kaynak makineleri gibi yüksek frekanslı uygulamalarda verimliliği en üst düzeye çıkarmak için tasarlanmıştır. Düşük anahtarlama kayıpları ve sağlam TO-247 kılıfı ile güvenilir bir performans sunar.

SGW50N60HS'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Hızlı Anahtarlama: HighSpeed (HS) serisi, düşük kapanma kaybı (E_off) ve azaltılmış kuyruk akımı (tail current) sayesinde yüksek frekanslarda yüksek verimlilik sağlar.
• Yüksek Akım Kapasitesi: 100°C'de 50A'lik sürekli kolektör akımı ile yüksek güç anahtarlama görevleri için idealdir.
• Entegre Hızlı Diyot: Dahili (co-packaged) hızlı ve yumuşak geri toparlanma diyodu içerir.
• Yüksek Güvenilirlik: Geniş Güvenli Çalışma Alanı (SOA) ile zorlu endüstriyel koşullarda bile kararlı bir performans sergiler.
• Dayanıklı TO-247 Kılıfı: Yüksek güç dağıtımı ve etkin soğutma için endüstri standardı TO-247 kılıfına sahiptir.

Başlıca Kullanım Alanları

• Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS): Yüksek frekanslı PFC ve DC-DC dönüştürücü katları.
• Kaynak Makineleri: İnverter tabanlı kaynak sistemleri.
• Güneş Enerjisi İnverterleri (Solar Inverters): Yüksek verimlilik gerektiren solar enerji sistemleri.
• Endüstriyel Motor Sürücüleri: Yüksek frekanslı PWM kontrolü gerektiren motor sürücüleri.

Sık Sorulan Sorular (SSS)

SGW50N60HS ile SGW20N60HS arasındaki fark nedir?
→ Her ikisi de Infineon'un aynı HighSpeed (HS) teknoloji ailesine aittir ve 600V'luk gerilim değerine sahiptir. Temel fark, akım kapasiteleridir. SGW50N60HS, 50A ile SGW20N60HS'nin (20A) iki katından daha fazla akım taşıyabilir ve bu nedenle çok daha yüksek güç gerektiren uygulamalar için uygundur.

Bu IGBT için nasıl bir gate sürücü devresi kullanmalıyım?
→ Bu kadar hızlı ve yüksek akımlı bir IGBT'den tam performans alabilmek için, gate sürücü devresinin tasarımı kritik öneme sahiptir. Yüksek tepe akımı (>2A) sağlayabilen, düşük çıkış empedansına sahip bir gate sürücü entegresi kullanılmalı ve gate ile sürücü arasındaki PCB yolu mümkün olan en kısa ve en geniş tutulmalıdır.

Yüksek hızlı güç elektroniği tasarımlarınızda Infineon SGW50N60HS'nin sunduğu yüksek güç ve performanstan yararlanın. Hız ve verimlilik için kanıtlanmış bir çözüm!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. Kritik ve hassas uygulamalarınız için lütfen ürünün üretici tarafından sağlanan resmi "datasheet" belgesini kontrol ediniz.