Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Kompakt boyutu ve güçlü performansıyla öne çıkan SI7611DN-T1-GE3, 40V gerilim dayanımı ve 18A akım kapasitesi sunan bir P-Kanal MOSFET'tir. Modern PPAK1212-8 kılıfı, mükemmel termal verimlilik sağlarken yerden tasarruf ettirir. Bu özellikleriyle, mobil cihazlar, batarya yönetimi ve kompakt güç modülleri için idealdir.
Soru: PPAK1212-8 kılıfının standart SO-8'e göre avantajı nedir?
→ Cevap: PPAK1212-8 (PowerPAK® 1212-8) kılıfı, SO-8'e benzer veya daha küçük bir ayak izine sahipken, altındaki büyük metal 'exposed pad' sayesinde çok daha iyi bir termal performansa sahiptir. Bu, aynı boyutta daha yüksek akımları yönetmesine veya daha serin çalışmasına olanak tanır.
Soru: Bu MOSFET 'logic-level gate' özelliğine sahip mi?
→ Cevap: Bu MOSFET'in 'logic-level' olup olmadığını kesin olarak belirlemek için resmi datasheet'ine bakmak gerekir. Datasheet'te RDS(on) değerinin Vgs = -4.5V gibi düşük bir gerilim için de belirtilmiş olması, onun 5V'luk mikrodenetleyici mantık seviyeleriyle verimli bir şekilde sürülebildiğini gösterir. Bu, sürücü devresini basitleştirir.
Yüksek performans ve kompakt tasarımı birleştiren SI7611DN-T1-GE3 ile taşınabilir ve güç yoğun uygulamalarınızı bir sonraki seviyeye taşıyın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.