Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.Düşük voltajlı ve ultra kompakt tasarımlar için optimize edilmiş olan SI7615ADN-T1-GE3, 20V gerilim dayanımına ve 5A akım kapasitesine sahip bir P-Kanal MOSFET'tir. Son derece düşük RDS(on) değeri ve termal olarak verimli PPAK1212-8 kılıfı ile batarya ile çalışan taşınabilir cihazlarda güç verimliliğini en üst düzeye çıkarmak için tasarlanmıştır.
Soru: Neden bu kadar düşük RDS(on) değeri bu kadar önemlidir?
→ Cevap: Taşınabilir cihazlarda batarya ömrü en kritik faktörlerden biridir. MOSFET iletimdeyken oluşan güç kaybı, I² * RDS(on) formülüyle hesaplanır. RDS(on) değeri ne kadar düşük olursa, aynı akımda o kadar az güç ısı olarak kaybolur. Bu, hem bataryanın daha uzun süre dayanmasını sağlar hem de cihazın daha az ısınmasına neden olur.
Soru: SI7615ADN'deki 'A' harfi ne anlama geliyor?
→ Cevap: Ürün kodlarındaki harfler genellikle üreticinin belirli bir teknoloji revizyonunu, performans grubunu veya özel bir niteliği belirtir. 'A' versiyonu, standart modele göre daha düşük RDS(on) veya daha iyi performans gibi iyileştirilmiş bir versiyon olabilir. Kesin anlamı için datasheet'i kontrol etmek en doğrusudur.
Maksimum verimlilik ve minimum güç kaybı gerektiren taşınabilir cihaz tasarımlarınız için SI7615ADN-T1-GE3 mükemmel bir tercihtir.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.